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LaAlO_3/SrTiO_3异质结界面体系具有新奇的二维自由电子气现象、暂态光电导效应、持续光电导效应等丰富的光电性质,是近年来科学界研究的热点之一.本文研究了场效应对LaAlO_3/SrTiO_3界面光电导效应的调控,发现光电协同增强的场效应可以使得LaAlO_3/SrTiO_3界面产生显著的持续光电导效应,进一步研究发现:在光电协同效应的影响下,随着负的背栅门电压的增加,持续光电导的数值增大,在-70 V附近达到极值;随着负的背栅门电压处理时间的增加,持续光电导的数值单调增加.LaAlO_3/SrTiO_3异质结中这种场增强的持续光电导效应可为多参数可调的光电子记忆器件的研发提供参考依据. 相似文献
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目的 评价I-gel喉罩下七氟烷吸入全麻在新生儿短小手术中的应用效果。方法 选择行短小手术的新生儿40例,随机均分为I-gel喉罩组(A组)和气管插管组(B组),每组20例。七氟烷吸入诱导完成后,A组患儿置入I-gel喉罩,B组患儿插入气管导管,成功后行控制呼吸,七氟烷维持麻醉。结果 两组患儿插管(或喉罩)的成功率无显著差异;但A组患儿喉罩置入所需时间显著短于B组患儿的插管所需时间(P<0.05)。T1时A组患儿MAP、HR较B组明显降低(P<0.05);T1~T3时,两组患儿气道峰压、气道密封压、SPO2、PETCO2均在正常范围内,且两组患儿SpO2、PETCO2差异无统计学意义。A组患儿拔除喉罩后哭声嘶哑、呛咳、有血性分泌物发生率明显小于B组(P<0.05),两组患儿均未发生反流误吸。结论 I-gel喉罩下七氟烷吸入全麻用于新生儿短小手术,方便快捷,通气效果好,置入成功率高,不良反应少。 相似文献
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