纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考虑载流子寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析，该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰，且具有相当精度. 关键词： 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场     

一种改进的VSLMS算法

根据几种变步长最小均方误差(VSLMS)算法的特性,把它们分为2类.把2类VSLMS算法的步长公式结合起来,提出一种改进的VSLMS算法.对改进前后的算法进行仿真实验,实验结果表明,改进算法同时获得了2类算法的优良性能,在收敛性、稳态误差及跟踪性方面都有显著提高.     

考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

根据改进后的三角势阱场近似，并考虑量子化效应，提出了一种基于物理的阈值电压解析模型，给出了MOSFET的阈值电压解析表达式，并与经典理论和数值模拟结果进行了比较. 关键词： 量子效应 阈值电压 反型层 表面势     

功率LDMOS阈值电压温度系数的优化分析

讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性,并给出了它的温度系数计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化层能够降低阈值电压随温度的变化.阈值电压的温度系数可以用温度的线性表达式来计算,从而可以得出功率LDMOS阈值电压的温度系数最优化分析.     

基于形状配准方法的研究与改进

图像配准技术是近年来发展迅速的图像处理技术之一,本文分析了基于形状配准方法的特点,并提出了一种改进的基于面的配准方法,该方法在保持基于面配准精度的同时减少了计算量。     

参数共振微扰法在Boost变换器混沌控制中的实现及其优化

参数共振微扰法是一种简单的非反馈混沌控制方法，它十分适合非自治系统的混沌控制.研究了这种方法在电流模式控制Boost变换器混沌控制中的应用，并通过对扰动相位进行优化 ，达到最优的混沌控制结果.同时对参数共振微扰法及其优化方法在Boost变换器混沌控制中的作用进行了理论分析，推导并计算了各种电路参数变化对有效的混沌控制所需的扰动的影响. 关键词： Boost变换器 混沌 混沌控制 参数共振微扰法     

一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型

提供了一种新的方法,用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程.该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果,直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术,在M atlab中用程序实现,所建立的伏安特性方程没有非饱和区、饱和区的间断点,是一个不分区间的统一表达式.对所得到的结果进行了计算验证,证明了建模方法和结果的正确性.     

高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析

分析了高压LDMOS在-27℃至300℃温度范围内的温度特性,并给出了阈值电压温度系数的计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:高压LDMOS的阈值电压温度系数在相当宽的温区内是一常数;可用温度的线性表达式来计算阈值电压温度系数;薄栅氧化层和高沟道掺杂浓度可减小高压功率LDMOS的阈值电压温度系数.     

四端硅压力传感器的解析模型

利用正则摄动法,采用合理的边界条件,求解四端硅压力传感器二维电势的偏微分方程,得出了该传感器二维电势的解析表达式;并由此导出了随应力而变的最大输出电压的解析表达式,且给出了输出电压与器件尺寸的精确关系。该模型物理意义明确,参数提取方便,其计算结果与数值解、实验数据较好吻合,可以很方便地进行器件设计和模拟。     

研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法

提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免,由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式,从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式.通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较,可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性.