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高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
杭德生 《南京大学学报(自然科学版)》1995,(1)
对高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照试验结果进行了对比分析研究.实验研究结果表明:掺金器件有最佳的VF~TRR折衷曲线,但高温特性却最差;掺铂器件有最佳的高温特性,但VF~TRR折衷曲线却最差;全面衡量器件各参数,12MeV电子辐照最有利于器件参数的最佳化.据此,提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案. 相似文献
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杭德生 《南京大学学报(自然科学版)》1995,31(1):45-50
对高频二极管掺金,掺铂和12MeV电子辐照试验结果进行了对比分析研究,实验研究结果表明:掺金器件有最佳的VF-TRR折裹曲线,但高温特性却最差掺铂器件有最佳的高温特性,但VF-TRR折衷曲线却最差;全面衡量器件各参数,12MeV电子辐照最有利于器件参数的最佳化,据化,提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案。 相似文献
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对加固P+nn+高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。DLTS测量表明,脉冲中子辐照(Φn=8.6×1013n/cm2)在硅中引入的缺陷主要是双空位E4和E3缺陷,氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Frenkel对成份的增加,增加的空位密度致使复杂络合物,例如(O十V2)或(O十V3)缺陷的有效产生。实验结果还表明,该类器件具有良好的耐辐照特性。文中还对退火特性进行了讨论。退火使氧空位和双空位E2增加,这可能是V2O、V3O分解所致。 相似文献
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辐照加工是一种新兴的高技术加工方法,广泛应用于改善材料性能、生成新材料、消毒灭菌、食品保鲜等领域,其应用前景十分诱人.介绍了NFZ_10辐照用电子直线加速器的主要束流性能指标和这些指标的测试方法及测量结果.结果表明,主要束流性能指标均达到和超过设计指标要求,优于国家行业标准指标要求.其中:能量不稳定度≤±1.8%,优于设计指标≤±3%;束流不稳定度≤±0.9%,优于设计指标≤±5%;扫描不均匀度≤±3.2%,优于设计指标≤±5%的要求. 相似文献
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电子加速器辐照降解氯酚的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
研究了高能电子束辐照降解2-氯酚(2-CP)、4-氯酚(4-CP)和2,4-二氯酚(2,4-DCP)的过程,测定了降解过程中的相关产物。实验表明高能电子束能够有效地降解2-氯酚、4-氯酚、2,4-二氯酚,降解过程符合一级动力学方程。同时,随辐照剂量的增大,水溶液的pH下降,氯离子浓度逐渐增高。在8kGy的辐照剂量下,2-氯酚、4-氯酚、2,4-二氯酚的降解率分别为97%、99%、100%;分别有67%、74%、57%的有机氯被转化为氯离子。 相似文献
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本文较全面地介绍了高能12MeV电子辐照技术的原理、方法、特点以及在快速二极管、开关晶体管,快速可控硅中成功的应用。 相似文献
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The defect changes in 6H-SiC after annealing and 10MeV electron irradiation have been studied by using a variable-energy positron beam.It was found that after annealing,the defect concentration in n-type 6H-SiC decreased due to recombination with interstitials.When the sample was annealed at 1400℃ for 30 min in vacuum,a 20-nm thickness Si layer was found on the top of the SiC substrate,this is a direct proof of the Si atoms diffusing to surface when annealed at high temperature stages.After 10MeV electron irradiation,for n-type 6H-SiC,the S parameter increased from 0.4739 to 0.4822,and the relative positron-trapping rate was about 27.878 times of the origin sample,this shows that there are some defects created in n-type 6H-SiC.For p-type 6H-SiC,it is very unclear,this may be because of the opposite charge of vacancy defects. 相似文献
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