Influence of Triangle Structure Defect on the Carrier Lifetime of the 4H-SiC Ultra-Thick Epilayer

Effect of triangle structure defects in a 180-μm-thick as-grown n-type 4H-SiC homoepitaxial layer on the carrier lifetime is quantitatively analyzed, which is grown by a horizontal hot-wall chemical vapor deposition reactor.By microwave photoconductivity decay lifetime measurements and photoluminescence measurements, the results show that the average carrier lifetime of as-grown epilayer across the whole wafer is 2.59μs, while it is no more than 1.34μs near a triangle defect(TD). The scanning transmission electron microscope results show that the triangle structure defects have originated from 3C-SiC polytype and various types of as-grown stacking faults.Compared with the as-grown stacking faults, the 3C-SiC polytype has a great impact on the lifetime. The reduction of TD is essential to increasing the carrier lifetime of the as-grown thick epilayer.     

基于Hydrology的山区1:1万DEM水系提取研究

利用重庆市万州区4幅比例尺为1∶1万,地面分辨率为5 m的DEM数据,根据地表径流模型原理,通过ArcGIS中的HydrologyTools模块进行D8算法提取流域水系,计算汇流累积量,并最终生成河网。结果表明:对1∶1万DEM进行水系提取,最小水道集水面积阈值设定为50 000个栅格较合理;对于山地地形,基于1∶1万DEM数据,利用ArcGIS Hydrology模块提取河网的方法,从提取的效率和结果的精度两方面看来都是切实可行的。     

传播与交流：地方博物馆的生命活力

玉溪市博物馆多年来注重文博阵地的建设与传播,是我市文化交流的重要窗12＂,近年来增强与外省市博物馆之间的馆际交流与合作,促进了两地博物馆之间的友谊与文化事业的繁荣。     

三峡库区生态屏障带划分与土地利用现状研究——以重庆市万州区为例

三峡水利工程带来的社会、经济和环境问题已引起全国乃至全世界的关注,库区屏障带是该区人地矛盾最为突出的区域。研究以重庆市万州区为例,利用TM遥感影像数据以及DEM数据,提取1995—2008年三峡水库蓄水前后的水热变化线,结合GIS支持下的山脊线提取,对生态屏障带综合划分进行了研究,并分析屏障带内坡度分布和土地利用现状。结果表明:三峡水库蓄水后,三峡水库两岸地表亮温和地表湿度受水库水位上升的影响,其影响范围为库区两岸30 km以内;划定的万州区屏障带范围主要为三峡水库水位线南北35 km以内,其总面积为2 215 km2,占其幅员面积的64.2%;万州区屏障带内存在一定的不合理土地利用问题,区内陡坡耕地和建设用地极容易破坏本来就极为脆弱的生态环境,直接对三峡水库的运行造成威胁。研究成果可为三峡库区屏障带综合研究提供参考。     

4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystalline silicon field plate termination

Based on the theoretical analysis of the 4H-SiC Schottky-barrier diodes(SBDs) with field plate termination, 4H-SiC SBD with semi-insulating polycrystalline silicon(SIPOS) FP termination has been fabricated. The relative dielectric constant of the SIPOS dielectric first used in 4H-SiC devices is 10.4, which is much higher than that of the SiO2dielectric,leading to benefitting the performance of devices. The breakdown voltage of the fabricated SBD could reach 1200 V at leakage current 20 μA, about 70% of the theoretical breakdown voltage. Meanwhile, both of the simulation and experimental results show that the length of the SIPOS FP termination is an important factor for structure design.     

4H-SiC同质外延生长Grove模型研究

本文通过对4H-SiC同质外延化学反应和生长条件的分析,建立了4H-SiC同质外延生长的Grove模型,并结合实验结果进行了分析和验证.通过理论分析和实验验证,得到了外延中氢气载气流量和生长温度对4H-SiC同质外延生长速率的影响.研究表明:外延生长速率在衬底直径上为碗型分布,中心的生长速率略低于边缘的生长速率;随着载气流量的增大,生长速率由输运控制转变为反应速率控制,生长速率先增大而后逐渐降低;载气流量的增加,会使高温区会发生漂移,生长速率的理论值和实验出现一定的偏移;随着外延生长温度的升高,化学反应速率和气相转移系数都会增大,提高了外延速率;温度对外延反应速率的影响远大于对生长质量输运的影响,当温度过分升高后,外延生长会进入质量控制区;但过高的生长温度导致源气体在生长区边缘发生反应,生成固体粒子,使实际参与外延生长的粒子数减少,降低了生长速率,且固体粒子会有一定的概率落在外延层上,严重影响外延层的质量.通过调节氢气流量,衬底旋转速度和生长温度,可以有效的控制外延的生长速度和厚度的均匀性.     

青青碧色润心田——越窑、汝窑、龙泉窑青瓷釉色赏析

说起最能代表中国特色的文化符号,恐怕就要算瓷器了,China—既是国际社会对中国的称谓和界定,也蕴含中国人对自己千年瓷文化的诠释和骄傲。瓷器作为中国的代表和文化符号,千百年来用其独特的色彩和烤制工艺诠释着文化与美。该文主要阐述了我国瓷器的起源和历史进程,并主要针对越窑、汝窑、龙泉窑青瓷釉色进行了赏析。     

基于太赫兹透射光谱的乙醇水溶液Debye模型研究

利用太赫兹透射光谱测量了液态乙醇和液态水以及不同浓度乙醇水溶液在22℃的介电常数.并利用Levenberg-Marquardt算法拟合得到了它们的Debye模型,该模型包含3个弛豫过程和1个分子间伸缩振动模式.其中,慢速弛豫模式的强度(弛豫时间20~160ps)贡献了主要的介电强度,中间弛豫模式与其密切相关.而快速弛豫模式(弛豫时间约为1ps)只占了大约5%的介电常数.     

基于 ESDA-GIS 的独特地理单元经济空间分异研究--以三峡库区重庆段为例

基于ESDA与GIS技术,利用三峡库区重庆段各区县1998-2011年人均GDP数据,对该区域经济发展的空间格局及其时空演变进行了分析,结果表明:三峡库区重庆段经济空间分异明显且呈显著的空间正相关,在整体格局上呈现出一定的集聚态势;全局上看,三峡库区重庆段经济相对差异在缩小,从局部来看,空间集聚表现在重庆主城和渝东北库区,而库区中段的集聚态势表现不强烈;万州区在有关政策扶持下,经济发展加快,有望成为带动渝东北库区经济发展的增长极.