基于3次样条插值的数控机床几何与热复合定位误差建模

通过分析机床整个温升直到热平衡的误差数据,总结误差分布的数学规律,将热误差和几何误差分离,运用基于压紧样条条件下的3次样条插值算法,以线性拟合后的余差为建模数据,建立了数控机床几何与热复合定位误差数学模型.实验结果表明,该数学模型能很好地拟合数控机床定位误差曲线,补偿后数控机床定位精度提高了80%以上.该方法可运用于不同时刻或不同机床温度下的机床定位误差补偿,建模原理明了、过程快速,模型适用性好.     

膜流动电位测试中Ag-AgCl电极的制备及稳定性研究

膜的动电特性研究中,往往采用流动电位方法。该方法中,Ag-Ag Cl测试电极的质量是影响测试准确性的关键要素。本文采用正交试验设计和方差分析,着重考察电解法制备Ag-Ag Cl电极过程中,电流强度(I)、氯化时间(t)、电解质溶液浓度(CHCl)、电极来源(n)、烘烤温度(T)、活化电极溶液浓度(CKCl)等因素对Ag-Ag Cl电极稳定性的影响。得到Ag-Ag Cl电极的最优制备参数为:电流密度3.0m A/cm2,氯化时间50min,盐酸浓度0.1mol·L-1,烘烤温度120℃,活化电极溶液(KCl)浓度0.001mol·L-1;最显著影响因素为电极来源,显著影响因素为氯化时间和烘烤温度。对最优条件组合下制备的AgAg Cl电极,进行了稳定性实验,结果表明:制备的电极具有较好的稳定性,24h内电极电位漂移量小于0.10mv,7天内电极电位漂移量小于0.2mv;在聚偏氟乙烯中空纤维超滤膜流动电位测试中,流动电位与流动压差具有良好的线性和可重复性,回归曲线R20.99,变化规律符合Helmholtz-Smoluehowski公式,可以较好满足膜的流动电位测试要求。     

基于DSP和IPM的三相无刷直流电机控制系统

为了提高电动机的控制性能,用高性能微处理器DSP(Digital Signal Processor)和IPM(Intelligent Power Module)对已有的模拟控制系统进行了改进。系统由DSP最小系统、智能功率驱动模块、隔离模块等组成,用DSP汇编语言编程。与现有的模拟控制电路相比,其结构简单。实验结果表明,系统调速范围可达到10~1000r/min,有较宽的调速范围。     

因特网“黑客”攻击与防范研究

“黑客”随着因特网的发展应运而生。他们的行为具有很大的破坏性。对此，互联网接入单位必须提高警惕，制定整体的安全策略，采取相应的防范措施，打击“黑客”的攻击。     

双核铁硫和钼铁硫配合物的电子结构研究

本文应用SCC—EHMO方法研究了3个含桥硫双金属配合物[Fe_2S_2(NO)_1]~(2-)、[(NO)_2FeS_2MoS_2]~(2-)和[Cl_2FeS_2MoS_2]~(2-)的电子结构。根据计算所得的分子轨道能级、特征和Mulliken重叠集居等数据,对其成键性质进行了详细的分析。探讨了桥硫及端基配体对形成配合物的重要作用以及对金属—金属间相互作用的影响。     

准静力学双面接触支承问题及其粘弹性材料的非局部摩擦

建立了描述变形体和基础间接触问题的数学模型.接触是双面的,并采用非局部摩擦定理建模,支承列入计算.粘结场(bonding field)的变化用一个一阶的常微分方程来表示,材料特性用一个非线性粘弹性本构关系建模.导出了该力学问题的变分公式,当摩擦因数充分小时,证明了其弱解的存在性和唯一性.依赖于时间的变分不等式、微分方程和Banach不动点理论,是该证明依据的基础.     

13.5—14.6MeV能区中子引起的50Cr(n,2n)49Cr和52Cr(n,2n)51Cr核反应截面的测量

报告了在13.5-14.6MeV中子能区，用活化法(以93Nb(n，2n)92mNb反应截面为中子注量标准)测得的50Cr(n, 2n)49Cr和52Cr(n, 2n)51Cr的反应截面. 由能量为13.5±0.3 ,14.1±0.2,14.4±0.3 和14.6±0.3MeV的中子引起的50Cr(n, 2n)49Cr反应截面值分别为3.4±0.2,6.8±0.3,21.5±1.0 和25.0±1.2mb，52Cr(n, 2n)51Cr的反应截面值分别为185±10,193±9,258±13 和332±16mb. 单能中子用T(d,n)4He反应获得，其能量用铌锆截面比法测定. 另外，为避免热中子引发的50Cr(n, 2g)51Cr对52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的影响，在样品被辐照过程中对样品进行了包镉处理，并将实验结果与尽可能收集到的其它实验数据进行了比较.     

孤立子Kdv方程及其解

通过对孤立子浅水波Kdv方程应用行波法、截断法、广田法等几种解法进行求解,比较了在各种解法下Kdv方程解的异同,同时对各种解法进行了比较。     

毛乌素沙地东南缘樟子松人工林土壤养分研究

以毛乌素沙地东南缘沙漠-黄土交错带樟子松林为研究对象,通过采集神木市、榆阳区和横山区樟子松林下7个土层深度(0～200 cm)的土壤,分别对其养分及颗粒组成进行分析.结果表明:毛乌素沙地东南缘樟子松林土壤养分整体水平低,土壤有机质、有机碳、全氮、有效氮、速效磷、速效钾和盐分的平均含量分别为3.03、1.76 g/kg及59.98、19.28、0.97、36.15、0.25 mg/kg,土壤pH呈碱性.由于影响土壤养分分布的因素及其变化的复杂性,土壤养分含量在区域上和剖面上均存在不同程度的差异.土壤养分含量与土壤粒度之间均存在着较好的相关性,大多数养分因子含量与细沙物质呈显著正相关关系,与粗沙物质呈显著负相关关系.总体上,毛乌素沙地东南缘樟子松林土壤肥力质量自东北向西南逐渐增加且土壤养分具有明显的表聚性.     

整体柱富集技术在微流控芯片系统中的应用

样品预处理技术是微流控芯片技术发展的瓶颈之一。整体材料是近几年在色谱领域发展起来的一种新型色谱填料,具有结构均匀、传质速度快、通透性好、制备过程简单等优点,被广泛用于微流控芯片系统中。该文综述了整体柱富集技术在微流控芯片系统中的应用进展,引用文献80篇。