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1.
2.
论知识经济条件下图书馆效益的提高 总被引:1,自引:0,他引:1
阐明了知识经济条件下图书馆效益可大致用知识的使用状况即文献借阅率、网页点击率、咨询解答率和知识创新率来表示。从知识运动的角度,分析了影响图书馆效益的主要因素。并探讨了提高图书馆效益的有效途径。 相似文献
3.
研究化学物质分子结构的方法很多,而衍射法是其中主要的方法之一,它包括X射线衍射、中子衍射和电子衍射等。由于X射线容易得到,而且成本较低,因此、X射线衍射法是分 相似文献
4.
We investigate the potential profiles and elemental distribution of barriers in Co/ZrAlOx/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) using electron holography (EH) and scanning transmission electron microscopy. The MTJ barriers are introduced by oxidizing a bilayer consisting with a uniform 0.45-nm Al layer and a wedge-shaped Zr layer (0-2 nm). From the scanning transmission electron microscopy, AlOx and ZrOx layers are mixed together, indicating that compact AlOx layer cannot be formed in such a bilayer structure of barriers. The Eli results reveal that there are no sharp interfaces between the barrier and magnetic electrodes, which may be responsible for a smaller tunnelling magnetoresistance compared with the MTJs of Co/AlOx/Co. 相似文献
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素质教育要求数学教学要培养学生的数学应用能力,我们认为培养学生数学应用能力既是目的,也是手段,在培养学生的数学应用能力的过程中,还应努力挖掘其它的素质教育功能,充分发挥“数学应用”教学的多层次素质教育作用.1.在“数学应用”教学中培养学生的数学应用能... 相似文献
6.
采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成. 相似文献
7.
框架玻璃幕墙是目前非常常见的一种结构型式,我结合多年的设计经验,自行研究出一种新型的幕墙框架结构型式横明竖隐玻璃幕墙结构,主龙骨为玻璃肋,横梁采用普通的明框横梁,这种结构的好处在于增加了幕墙的通透性,又能用于多层连续主龙骨连接的整体幕墙,同时由能够满足幕墙结构的各种性能要求,通过工程的实践证明,这种结构是安全可靠的. 相似文献
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9.
张泽银 《四川师范大学学报(自然科学版)》1994,17(2):113-113
欧氏空间加细采样的小波标架不变性张泽银(武汉大学武汉市430072)L2(Rs)表示Rs上复值平方可积函数空间。整数矩阵A称为允许矩阵(A∈Zs×s),如果它的所有特征值的绝对值大于1。令q=|detA|(>1),则由[1]知,存在之的模AZs唯一的... 相似文献
10.
本文讨论一般非均匀凸介质所确定的迁移算子的本征值的分布问题,利用Hilbert空间的H算子理论,完整地解决了一般非均匀凸介质中迁移算子本征值的分布问题,若{λn}n=1^∞是迁移算子本征值的一种计数,我们证明了Σ↓n=1↑∞e^6Reλnτ〈+∞,其中τ是粒子的最大逃逸时间,并对本征值的发散程度以及本征值的个数函数作了相应的讨论。 相似文献