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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)G_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和Al_xGa_(1-x)As中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。 相似文献
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al0.3G0.7As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和AlxGa1-xAs中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。
关键词: 相似文献
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研究了Si(100)注入铒后所形成的表面非晶层在不同退火温度下的固相外延结晶以及铒的迁移和掺杂规律。结果表明,表面非晶层先以基体单晶硅为晶种固相外延结晶,铒在晶体-非晶界面偏析,但当铒偏析聚集到一定浓度时则外延结晶停止,剩余损伤层变为多晶结构。在350keV的高剂量注入下,再结晶区域内的最大掺杂浓度随退火温度的增加而降低,但对150keV的低剂量注入,观察到850℃退火温度下掺杂浓度的反常增强。 相似文献
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本文用分光光度法研完了 Nd~(3 )、Er~(3 )离子同1-苯基-3-甲基-4-三氟乙酰基-吡唑酮-5(PMTFP)及8-羟基啉喹(OX)所形成的三元配合物的超灵敏跃迁现象;制备了固态配合物并测定了组成比为 Ln~(3 )∶PMTFP∶OX=1∶3∶2。探讨了Ln~(3 )离子超灵敏跃迁的振子强度增值(ΔP)与配位体个数的关系以及不同 Ln~(3 )间 P 值增大的线性关系。 相似文献
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了350kevYb+注入Si(100)所产生的表面非晶层在不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程.实验结果表明,在800℃-1000℃的快速热退火温度下,在Yb+射程范围以外的非晶层很容易固相外延结晶;但在同样退火温度下,在Yb+射程分布范围内非晶层的团相外延结晶则非常缓慢.只有在退火温度高于1200℃时,整个表面非晶层才完全消失.射程末端附近的复杂缺陷和缺陷杂质复合体是导致这两个不同结晶区域的主要原因. 相似文献
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