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1.
本文简要介绍了星载红外遥感仪器辐射定标系统的结构,报道了利用微型计算机测量控制黑体温度、数据同步采集及微型计算机之间的协调控制,数据传递和处理的方法。  相似文献   
2.
针对通信建设项目经济评价工作中,关于市内电话初装费和建设开发费收入的处理对项目盈利能力的影响,着重研究现金流量中现金流入范围的重新界定问题,其目的是使通信建设投资决策方法科学化规范化。  相似文献   
3.
大规模移动轨迹、社交网络等高维图数据应用广泛且包含大量隐私信息,云计算的快速发展使得用户将图数据的存储和计算任务外包给云服务器。然而,云服务器并非完全可信且图数据拓扑结构和节点关联关系复杂,如何在云计算环境下实现隐私保护的图数据计算成为值得研究的课题。针对以上问题,对现有外包计算环境下的图数据隐私计算模型进行了全面分析和总结。首先针对云计算环境下图数据隐私保护模型进行梳理;然后对现有加密图数据隐私查询类型进行分类与分析;最后,提出了外包计算环境下图结构数据的隐私计算研究需要解决的关键问题与解决思路。  相似文献   
4.
为在“新冠”疫情线上教学背景下激发学生学习动力,文章利用信息化手段开发学习激励系统。阐述了使用成绩排名发放电子奖状的业务需求,分析了实现该系统的技术架构,利用Python中Pandas的数据分析能力、Tkinter的图形用户界面交互能力及腾讯乐享证书功能,联合打造了本科生学习激励系统,并在激励学生方面取得了良好效果。  相似文献   
5.
针对DiMP目标跟踪算法在自然场景下遇到遮挡及背景干扰导致跟踪表现不佳的问题,提出了改进的DiMP精确目标跟踪算法。在图像预处理阶段创新性地设计了一个任意灰度块替换策略来丰富样本的信息;将特征提取网络ResNet-50提取的目标各阶段的特征图输入到设计的多尺度融合模块中进行正向和反向的充分融合,得到包含更多位置信息和语义信息的特征图;随后特征图输入到模板预测模块中进行在线更新操作,进而得到判别力更强的目标模板。实验表明:该算法在UAV123数据集的遮挡和背景干扰测试中的成功率和精确率分别提高8%、4.15%和9%、6.30%;同时,在VOT2018的EAO指标上提高1.36%,在UAV123的成功率和精确率指标上分别提高3.89%和3.06%。说明改进的DiMP算法在对遮挡与背景干扰问题上优势明显,进而提升了算法的整体表现。  相似文献   
6.
全面构建空天地海一体化网络成为6G的重要发展方向,然而,空天地海一体化网络的通信拓扑高动态变化、网络体系结构复杂以及多维资源分布非均衡等特点,给网络切片带来了挑战。介绍了空天地海一体化网络和网络切片技术的研究进展;然后分析了空天地海一体化网络中网络切片目前面临的多维资源分布高度不均衡、物理拓扑和业务需求的双重高动态性挑战;最后讨论了切片间资源重用和智能自适应切片伸缩这两个未来的发展趋势。  相似文献   
7.
InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展   总被引:3,自引:2,他引:3  
研制出光谱响应为0.9~1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件.焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装.光敏芯片在Inp/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合.焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装.介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础.  相似文献   
8.
研究了200kV激光触发多级多通道开关的运行机理,该开关在直流电压下以四倍频Nd:YAG激光器为触发源进行的实验结果表明:开关触发延迟时间及其抖动随开关电压、激光能量和充气压力上升呈指数下降趋势,对混合气体则随气体密度上升而上升。随透镜焦距的增大延迟时间及其抖动呈上升趋势。该开关实现了多通道放电。  相似文献   
9.
考虑液膜空化效应的影响,研究螺旋槽液体润滑机械密封的动力学特性. 基于液体润滑理论和小扰动法,建立了考虑液膜空化的密封微扰膜压控制方程,采用有限单元法对端面液膜三自由度微扰下的液膜刚度和阻尼系数进行了数值求解,分析了不同参数对液膜密封动力系数的影响. 螺旋槽深度在10 μm左右、槽坝比在0.75左右、槽宽比在0.4左右,螺旋角在9°左右时液膜具有最大的轴向和角向刚度系数. 螺旋槽深度在5 μm左右、槽宽比在0.6左右、螺旋角在20°左右时,两角向交叉阻尼绝对值最大. 初始偏角的存在使密封压力呈现非对称性,从而使两角向动力系数绝对值不再相等. 液膜轴向刚度kzz在数量级上远大于其余液膜刚度值,液膜轴向阻尼dzz、角向阻尼dαα和dββ远大于液膜其余阻尼值且随着转速和间隙的增大而减小.   相似文献   
10.
对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h.实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,Ⅰ-Ⅴ测试结果中反偏部分的电流有明显增大.通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加.  相似文献   
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