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介绍了一种新型结构的整流二极管,即多晶硅/硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明,这种器件的反向恢复时间很短。
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在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图.对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据.
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3.
本文将聚酰亚胺 (PI胶)用于高压整流元件的表面保护,做了大量试验.试验结果表明,PI胶具有温度特性好、结构致密、可靠性好等优点.最后讨论了采用PI胶工艺的可靠性问题.
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4.
在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图 .对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证 ,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和 P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力 ,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据
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本文针对聚酰胺与硅片粘附性问题进行了实验和考察,提出了一种新的提高其粘附牢度的方法,此方法就是通过使用简单方便的液相钝化方法,先在硅片表面上生长一层薄膜,再在生长的薄膜上用聚酰农副业 胺进行保护.
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