面向市场、加快发展、优质服务——祝贺中国电信河北省移动电话用户突破100万

1999年是我国改革开放和社会主义现代化建设承前启后关键的一年，也将是我们党和国家历史上具有特殊意义的一年，我们将迎来建国五十周年大庆和澳门回归祖国。在这春暖花开的时节，中国电信河北省移动通信传来喜讯—移动电话用户突破100万，这是河北移动通信发展史上的又一个里程碑。     

小波分解与外测数据频带特性在随机误差分离中的应用

提出了依据外测数据频带特性分析小波分解随机误差的分离方法。采用小波分解得到的细节分量逼近外测数据的随机误差,利用随机误差与其他成分之间的频带间隔确定最佳分解层数,重构细节分量直接得到随机误差。该方法简单易用,避免构建模型和间接分离方法引入的间接误差,利用计算机仿真验证了方法的有效性。     

在双模波色-爱因斯坦凝聚中实现纠缠态的控制

本探讨了一种实现对双模波色，爱因斯坦凝聚(BEC)中纠缠态控制的方案。通过应用外磁场，该粒子数空间的能级将会交叉。如果此时给它加上控制外场，就可以把一种量子态转化为在该空间中的任意量子态。     

不同形貌钛及钛合金粉末激光快速成形的研究

对比分析了HDH(Hydride-Dehydride)法和GA(Gas-Atomised)法生产的两种钛及钛合金粉末颗粒的形貌和粉末颗粒内部结构;主要概述了两种不同形貌的TC4粉末的输送性能、粉末利用率和激光快速成形件的表观质量及其内部气孔状况;分析了不规则钛及钛合金粉末在激光快速成形技术中应用的可能性。     

一类平均曲率型抛物方程解的存在性和解的熄灭

在Rn有界域上考虑一类带有非线性迁移项的平均曲率型方程div{σ(|　Δu|2)　Δu}+b(u)·　Δu=0的第一类初边值问题.主要得到了弱解的存在性,并且给出了解的熄灭性质及解的L∞估计.     

Ultra-low temperature radio-frequency performance of partially depleted silicon-on-insulator n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with tunnel diode body contact structures

Radio-frequency(RF) characteristics under ultra-low temperature of multi-finger partially depleted silicon-oninsulator(PD SOI) n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(nMOSFETs) with tunnel diode body-contact(TDBC) structure and T-gate body-contact(TB) structure are investigated in this paper.When operating at 77 K,TDBC device suppresses floating-body effect(FBE) as well as the TB device.For TB device and TDBC device,cut-off frequency(f_T) improves as the temperature decreases to liquid-helium temperature(77 K) while that of the maximum oscillation frequency(/max) is opposite due to the decrease of the unilateral power gain.While operating under 77 K,f_T and f_(max) of TDBC device reach to 125 GHz and 77 GHz,representing 8%and 15% improvements compared with those of TB device,respectively,which is mainly due to the lower parasitic resistances and capacitances.The results indicate that TDBC SOI MOSFETs could be considered as promising candidates for analog and RF applications over a wide range of temperatures and there is immense potential for the development of RF CMOS integrated circuits for cryogenic applications.