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超薄体SOI器件能够有效抑制短沟道效应,业界认为在纳米器件时代它有可能取代传统体硅器件。但SOI器件的全局化埋氧层特性会使其产生自加热效应,严重时会导致器件开态电流下降、漏电流增加,从而导致器件可靠性降低。具有局部空洞层或介质层的SON器件及其制备方法已成为纳米器件时代的一个研究热点。阐述了SON器件的基本概念,比较了SON器件和传统体硅器件的电学特性。对SON器件的工艺制备方法进行了全面描述,包括早期的SON器件制备方法、基于MSTS的SON制备方法、气体注入SON制备方法,以及完全自对准SON器件制备方法。详细描述了准自对准气体注入SON器件和完全自对准SON器件制备方法的工艺流程。 相似文献
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详细介绍了三维集成的基本概念,针对二维SoC集成、三维并行TSV集成和三维循序集成的特点进行深入描述和比较.分析了三维循序集成CMOSFET结构的发展现状,包括早期的三维器件级集成设计、基于SOI的平面型CMOSFET三维循序集成设计,以及共包围栅SiNWFET三维循序集成设计.结合各种三维循序集成CMOSFET结构设计方法的特点,提出一种双层隔离三维循序集成SNWFET结构设计方法,为三维集成CMOSFET结构设计提供了一种新的解决方案. 相似文献
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