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提高微波功率晶体管击穿电压研究 总被引:5,自引:2,他引:3
微波功率晶体管其微波参数和击穿电压BVCBO对外延层参数选取是互相的。现采取超低浓度深化结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾,使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压BVCBO获得明显改善。 相似文献
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为简化砷扩散表面浓度的估算,推导了一个仅依赖于结深 x_i 和薄层电阻 Rs 的简单表示式:Cs=(1.56×10~(17)/(x_i·Rs))。此式是由实验的迁移率数据和砷扩散方程解的多项式近似值而得到的。由五种不同类型砷源的扩散数据表明,当 Cs≥ni 时 Cs 的这个表示式可准确在15%之内。 相似文献
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3.3—3.4GHz28W硅脉冲大功率晶体管的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
本介绍了采用网状发射极结构,浓硼扩散发射极镇流电阻,输入,人匹配等技术研制出的硅微波脉冲大功率晶体管,该器件在3.1-3.4GHz的雷达频带内,脉冲输出功率28W,增益7.5dB,效率30%。 相似文献
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在半绝缘衬底上采用分子束外延(MBE)技术已得到e-b结是突变的GaAlAs-GaAs异质结双极晶体管(HBT)。在I_C=20mA、V_(CE)=8V下已测出增益带宽积f_T为15GHz。在至今HBT的报导中这结果是最好的。它用于高速逻辑线路是很有希望的。 相似文献
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本文采用了一种新型结构器件—SEBISIT(Serial Bipolar Static Induction Transistot),成功地改善了高压晶体管的抗核辐射能力。常规高压器件由于具有较大的基区宽度(保证高压工作下基区不穿通)和较厚的外延层(提供足够的击穿电压),故其抗核辐射能力很差。 SEBISIT器件,巧妙地利用了SIT器件的栅的电场屏蔽作用,一方面有效地抑制了高反压下耗尽层向基区的扩展,实现了高压薄基区;另一方面,其屏蔽作用保证了器件有接近于BV_cao为225V.f_T大于400MHZ的加固器件,其中φ_0.5(增益下降至初始值的一半时的辐射剂量)为常规器件的60倍,大大提高了高压器件的加固性能. 相似文献
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