排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 93 毫秒
1
1.
本文提出了一种新的多晶硅发射区少数载流子注入理论.考虑了晶粒间界厚度和其中的少数载流子复合,假设晶粒间界和晶粒具有不同的少数载流子迁移率和寿命.引入少数载流子迁移率和寿命随多晶硅厚度变化的函数,通过求解与单晶硅少数载流子注入形式上完全相同的连续性方程,不仅得到了前人关于晶粒间界对少数载流子具有阻碍和复合双重作用的结论,而且成功地区分了不同晶粒间界对降低注入饱和少数载流子电流贡献的大小.其中,第一个晶粒间界能够最有效地减少注入饱和少数载流子电流.与此同时,本文还得到了能够降低注入饱和少子电流百分之十以上的有效晶粒间界个数与晶粒/晶粒间界界面态密度和晶粒大小之间的关系. 相似文献
2.
3.
4.
本文在已提出的综合解析模型基础上,引入各相关参数特别是多晶-单晶之间的界面态俘获截面与温度关系的实验结果,给出了分析PET电流增益与温度关系的解析理论.以此为基础,详细分析了少子在多晶-单晶之间的界面氧化层两边界面态上的复合和少于以热发射的方式跃过杂质分凝和界面氧化层电荷形成的势垒并隧穿界面氧化层两种机理对PET电流增益随温度变化的影响,首次成功地把HF器件电流增益在高温区呈现出比普通金属接触晶体管温度系数大的实验结果归因于少子在界面氧化层两边的复合以及俘获截面与温度的关系σp.∞T-2.7,分析预示了界 相似文献
5.
6.
1