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1.
本文报道用不同离子两步交换技术,在玻璃衬底上制作K~+离子交换掩埋波导的新工艺,它不要求施加外电场。用X射线能谱(XES)分析技术测试了K~+离子的浓度分布,证明所制出的样品是掩埋波导。 相似文献
2.
提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论,实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜-衬底体系的热致反射调制度高达80%,这一效应可望有极广泛的应用 相似文献
3.
Using the phase field crystal approach, the crystallization process within the liquid–solid coexistence region is investigated for a square lattice on an atomic scale. Two competing growth modes, i.e., the diffusion-controlled growth through long-range atomic migration in liquid and the diffusionless growth through local atom rearrangement, which give rise to two completely different crystallization behaviors, are compared. In the diffusion-controlled regime, the interface migrates in a layerwise manner, leading to a gradual change of crystal morphology from truncated square to four-fold symmetric dendrite with the increase of driving force. For the diffusionless growth mode, a single crystal with no significant density change occupies the whole system at a faster rate while exhibiting a small growth anisotropy. The competition between these two modes is also discussed from the key input of the phase field crystal model: the correlation function. 相似文献
4.
Ti扩散铌酸锂光波导特性的热固定技术 总被引:1,自引:1,他引:0
在Ti扩散铌酸锂光波导中,因光致折变效应而导致光波导特性漂移.在光波相干性的导波光学器件中,光致折变效应的影响尤为严重.本文报道了稳定光致折变效应的热固定技术实验结果;并提出在光波导特性的热固定过程中,不是H~+离子起主导作用这一看法. 相似文献
5.
6.
7.
在航天等空间产品中使用的分布式供电系统中,总体电路一般只提供27~30 V的直流一次电源,各单机产品大多采用DC/DC模块将该一次电源转换为所需的二次电源,并实现一次地与二次地的隔离。分析了INTERPOINT公司的DC/DC模块的输入端反接后,输入电压对DC/DC模块、电源保护滤波电路及负载的影响,通过仿真与验证试验,得出电源模块输入端反接后单机产品中电源保护电路发生作用,对产品中负载无影响,可以继续使用。电源模块失效分析对航天产品中电源模块中出现类似的故障后的处理提供了参考。 相似文献
8.
以含铈铝锂合金为研究对象,研究了磁场对含稀土铝锂合金时效过程的影响,从断裂特征及微观组织两方面分析了磁场作用规律。实验结果表明:未加磁场时,合金的断裂特征以理断裂为主;扁平晶粒厚度不匀,在磁场作用下,此合金的断裂特征与微观组织发生明显改观,随磁感应强度增强,合金主断裂面上准解理断裂特征减弱,同时二次裂纹增多,分层比较升高;扁平晶粒厚度变薄,尺寸趋于均匀。用少体物理理论,探讨了磁场对含稀土合金原子扩散过程的影响,为进一步研究稀土元素在磁场中的行为及其局域效应提供了一定的实验依据。 相似文献
9.
10.
高温超导储能(High Temperature Superconducting Magnetic Energy Storage,HTS-SMES)磁体装置可有效提高电力系统的稳定性、改善电能质量。储能磁体是储能装置的关键部分,为提高超导储能磁体的热稳定性,通常在超导磁体中增设铜导冷片。磁体充放电时在导冷片上会产生涡流损耗,损耗的大小严重影响磁体的超导特性,因此降低导冷结构的涡流损耗是提高磁体热稳定性的关键因素。运用有限元法(FEM)分析导冷片上的涡流损耗,在Ansoft仿真软件三维瞬态场中模拟磁体充电过程中导冷片的涡流损耗,结果表明:充电模式下,完整导冷片涡流损耗为1.45W;沿径向开缺口处理后涡流损耗为0.107W;导冷片内环、中部、外环开齿槽后涡流损耗分别为0.49、0.41、0.1242W。由此可得,对于导冷片的开齿槽处理可显著降低涡流损耗,且内部开齿槽的效果最佳。 相似文献