CGI与UNCGI

Web是Internet上那些支持超文本传输协议HTTP（HyperTextTransportProtocol）的客户机与服务器的集会。随着Internet技术的日益发展，世界各地越来越多的客户机与服务器正在进入Web.基于Web上的应用，如网上购物。在线会议登记、网际搜索等也越来越普及，而这些应用的发展，要求Web上的网页的制作具有交互性。通常人们只需通过客户端的测览器以超文本的形式向Web服务器提示各类请求，Web服务器得到请求后激活CGI程序，并通过CGI的解码程序UNCGI在服务器上产生相应的作用或将相应的信息反馈的客户的浏览器上。绝大多数的CGI程序…     

基于慢波半模基片集成波导的等长等宽小型化移相器

针对基片集成波导移相器小型化、高性能的需求,本文提出了基于慢波半模基片集成波导（Slow-Wave Half-Mode Substrate Integrated Waveguide,SW-HMSIW）的等长等宽小型化移相器.该SW-HMSIW上层金属表面由微带折线单元周期性加载构成,提高了SW-HMSIW的等效介电常数和磁导率,从而降低了SW-HMSIW的截止频率和相速度,实现了慢波效应并获得尺寸的减小.此外,可以通过调节微带折线单元横向和纵向的尺寸,灵活调节SW-HMSIW的相速度和截止频率.基于这一原则,本文设计实现了SW-HMSIW等长等宽小型化移相器,同时它具有较宽的工作带宽.测试结果表明,所设计的移相器在8.7～14.2 GHz内实现了90°±4°的相移量,相对带宽为48%,回波损耗优于12 dB,具有良好的传输性能和移相效果,并且具有小型化和等长等宽结构特点,适用于在大规模阵列天线的应用.     

生物组织黏弹性激光散斑检测方法研究进展

生物组织的黏性和弹性在许多疾病发生和发展的过程中会发生改变,因此检测生物组织黏弹性对疾病诊疗具有重要意义。基于此,介绍了基于激光散斑技术的生物组织黏弹性测量方法。从弹性波调制下的激光散斑衬比变化,布朗运动下的光强自相关函数和低频交变应力作用下的散斑位移3个方面,分别介绍生物组织黏弹性激光散斑检测的理论基础和研究现状。     

针对USB接口的安全测试方法研究

USB已经成为计算机与智能设备的必备接口之一,广泛应用于社会的各个场景。近年来各类硬件产品的安全事件层出不穷,出现了多种针对USB接口的攻击手段,导致相关系统面临着严重的安全风险。开展USB接口的安全测试方法研究,能有效评估设备的安全强度,降低系统安全隐患,提升整体防护能力。通过分析针对USB接口的多种攻击要点,提出了相应的安全测试方法及防护手段。     

磁控溅射的特点及应用——化合物溅射膜中观察到的有趣现象

本文首先叙述了磁控溅射中的两种放电模式,第一种模式出现在低于1000高斯的弱磁场下.在这种模式中放电时占优势的空间电荷是正的(PSC模式),用PSC模式溅射对制作半导体器件的互联和电极有用,第二种模式出现在高于1000高斯的强磁场下,在这种模式中员的空间电荷占优势(NSC模式).NSC模式可用来在低温下制作化合物薄膜,本文还介绍了用NSC模式制备的化合物薄膜,如氧化j物和氮化物等的结构、电性能和溅射条件.     

Sb掺杂ZTO透明导电薄膜的结构和性能

采用溶胶凝胶法和旋涂法制备Sb掺杂钙钛矿结构ZTO（ZnSnO₃）透明电薄膜,并借助XRD、SEM、XPS、UV-Vis和Hall效应测试等手段研究了其结构和性能。比较了Sb离子单独置换ZnSnO₃晶体中的Zn²⁺或Sn⁴⁺,以及同时置换Zn²⁺和Sn⁴⁺等3种置换方式所得薄膜的结晶状态,分析了不同置换方式形成的薄膜中Sb离子实际占有的晶格位置,以及Sb⁵⁺与Sb³⁺的比例变化。探讨了不同置换方式晶体中氧空位（V_O^..）、锌间隙（Zn_i^..）和锡离子变价（Sn_Sn"）等结构缺陷相应的含量变化,并研究Sb离子掺杂浓度对薄膜晶体结构、结构缺陷和电阻率的影响。研究表明,3种置换方式的Sb掺杂ZTO薄膜均保持单一ZnSnO₃晶相,并且Sb离子均按设计的方案进入了相应的晶格位置,但不同置换方式的薄膜中,Sb⁵⁺与Sb³⁺的比例不同,并且会随Sb离子浓度增大而逐渐减小。研究证明Sb离子置换方式以及掺杂浓度均会显著影响薄膜中载流子的浓度和迁移率,从而影响其电性能。在所制备的薄膜中,Sb离子单独置换Zn²⁺且组成为Sb_0.15Zn_0.35Sn_0.5O_1.5的薄膜电阻率最低,为0.423 Ω·cm。此外,所有Sb掺杂ZTO薄膜在360~800 nm波长范围内透过率均在78%以上。     

APD阵列激光成像雷达处理电路的研究进展

基于雪崩光电二极管(APD)阵列探测器的激光成像雷达在高速、高精度成像方面具有重要研究价值,是探测技术的热点研究方向。简要分析了采用APD阵列成像激光雷达的优点,介绍了APD阵列的工作模式和特性。研究了处理电路的结构和测距电路的实现方法,并分析这些方法的优缺点;综述了国内外在APD阵列激光成像雷达应用方面的研究进展,并对未来的发展趋势进行了展望。     

Sb掺杂ZTO透明导电薄膜的结构和性能

采用溶胶凝胶法和旋涂法制备Sb掺杂钙钛矿结构ZTO(ZnSnO_3)透明电薄膜,并借助XRD、SEM、XPS、UV-Vis和Hall效应测试等手段研究了其结构和性能。比较了Sb离子单独置换ZnSnO_3晶体中的Zn2+或Sn4+,以及同时置换Zn2+和Sn4+等3种置换方式所得薄膜的结晶状态,分析了不同置换方式形成的薄膜中Sb离子实际占有的晶格位置,以及Sb5+与Sb~(3+)的比例变化。探讨了不同置换方式晶体中氧空位(VO)、锌间隙(Zni)和锡离子变价(SnSn″)等结构缺陷相应的含量变化,并研究Sb离子掺杂浓度对薄膜晶体结构、结构缺陷和电阻率的影响。研究表明,3种置换方式的Sb掺杂ZTO薄膜均保持单一ZnSnO_3晶相,并且Sb离子均按设计的方案进入了相应的晶格位置,但不同置换方式的薄膜中,Sb5+与Sb~(3+)的比例不同,并且会随Sb离子浓度增大而逐渐减小。研究证明Sb离子置换方式以及掺杂浓度均会显著影响薄膜中载流子的浓度和迁移率,从而影响其电性能。在所制备的薄膜中,Sb离子单独置换Zn2+且组成为Sb_(0.15)Zn_(0.35)Sn_(0.5)O_(1.5)的薄膜电阻率最低,为0.423Ω·cm。此外,所有Sb掺杂ZTO薄膜在360~800 nm波长范围内透过率均在78%以上。     

基于慢波基片集成波导的X波段功分器设计

针对传统基片集成波导（substrate integrated waveguide,SIW）功分器设计中宽带化和小型化不易兼顾的问题,提出了一种基于慢波SIW（slow-wave SIW, SW-SIW）的功分器. 采用微带折线构成的慢波结构单元加载于SIW金属表面上,代替传统SIW连续的金属表面,与同尺寸的SIW相比,SW-SIW的截止频率下降了40%,能够实现横向尺寸的缩减,尤其当SW-SIW达到与SIW相同的相移量时,SW-SIW所需纵向尺寸更小. 所提出的基于SW-SIW的功分器在具有较宽带宽的同时实现了器件尺寸的减小. 通过测试结果可得,该功分器在8.25～12.8 GHz频带内的反射系数|S₁₁|相似文献   

TiN/HfxZr1-xO2/TiN铁电电容器的原位生长与表征

HfO₂基铁电电容器,特别是TiN/Hf_xZr_1-xO₂/TiN金属-绝缘体-金属电容器,由于其良好的稳定性、高性能和互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性,在新一代非易失性存储器中有着广阔的应用前景。由于TiN/Hf_xZr_1-xO₂/TiN电容器的电性能与Hf_xZr_1-xO₂铁电薄膜与TiN电极层界面质量相关,因此控制TiN/Hf_xZr_1-xO₂/TiN异质结构的制备和表征至关重要。本文报道了一种三明治结构：Hf_xZr_1-xO₂铁电薄膜夹在两个TiN电极之间的新的制备方法,通过超高真空系统互连的原子层沉积(ALD)和磁控溅射设备实现。原位生长和表征结果表明,ZrO₂掺杂浓度和快速热退火温度可以调节TiN/Hf_xZr_1-xO₂/TiN异质结的铁电性能,并能很好地被互连系统监控。在该体系中,通过在HfO₂中掺杂50% (molar fraction, x) ZrO₂并且在600 ℃下快速热退火(RTA),获得了21.5 μC·cm^-2的高剩余极化率和1.35 V的低矫顽电压。