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本文报道了用含氢非晶硅作为台面型硅变容管钝化新方法.这种方法采用SuO_2 α-SiH双层钝化膜结构.在α-Si:H淀积过程中,严格掌握衬底温度,采用相应的退火条件,以确保钝化膜的必要的稳定性.这种钝化方法能明显地降低反向漏电流,比单层SiO_2钝化可使器件成品率提高一倍左右.器件经过高温、潮湿、高温电老化、常温存放等环境试验,显示了具有高可靠性与稳定性.本文对于用SiO_2 α-Si:H的钝化机理也作了初步的探讨. 相似文献
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近十年来,超突变结变容二极管在工业生产上解决了批量生产的问题,人们已经掌握了多种工艺方法制造出各具特点的超突变结变容管.用双外延法制作的调频变容管就是其中之一.它已经被广泛地应用在扫频器、移相器、可变延迟线,高灵敏自动频率控制和相位控制等电子线路中,并且成为这些电子线路中的关键性器件. 相似文献
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