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无线电
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1.
用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层
刘世民
于栋利
田永君
何巨龙
李东春
陈世镇
《电子显微学报》
1998,17(1)
利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ELID磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明,表面粗糙度依次为9.5nm和22.5nm两种〈111〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为2.8μm和4.8μm。
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