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研究了Yb/Mg受主离子协同掺杂对BaTiO3陶瓷材料分别在空气、还原性气氛中,以及热处理过后的结构与性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明,还原性气氛烧结抑制了受主离子在BaTiO3中的固溶度,使材料出现第二相Yb2Ti2O7。差热扫描热分析(DSC)测量图谱表明,过量的Yb掺杂破坏了陶瓷的壳-芯结构。在不同的气氛烧结条件下,通过适当调整Yb/Mg掺杂量,可获得既适用于Pd/Ag内电极又适用于Ni内电极且满足在-55~ 150℃范围内,容量随温度的变化率满足±15%内(X8R)特性要求的多层陶瓷电容器(MLCC)介质材料。 相似文献
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射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。 相似文献
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选用两种高纯氧化铍(BeO)瓷料(一种为原生料,另一种为瓷件料),以不同的烧结工艺制备高纯BeO陶瓷。通过品红实验和扫描电镜(SEM)观察发现:采用原生料制备的陶瓷素坯在天燃气方式加热的钟罩炉中难以致密化,陶瓷容易吸红。这主要是由于高纯BeO的原生料的烧结是以蒸发-凝聚传质方式为主,扩散传质方式为辅,在一定的温度和压力下,有BeO(蒸汽) CH4易产生BeOH CH3或CH3OH Be。采用瓷件料制备的陶瓷素坯在天燃气热钟罩炉中能致密化,陶瓷不易吸红。这主要是由于高纯BeO的瓷件料的烧结是以扩散传质方式为主,以蒸发-凝聚传质方式为辅,烧结后期离子沿粒界作快速迁移,靠界面扩散使瓷体致密化。 相似文献
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B位非化学计量比对0.6BCN-0.4BZN陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用传统固相反应法,制备了Ba(Co0.6Zn0.4)1/3Nb2/3O3(0.6BCN-0.4BZN)微波介质陶瓷。系统研究了Ba(Co0.6Zn0.4)(1/3+x)Nb2/3O3陶瓷中B位(Zn,Co)离子的非化学计量比(x=-0.015,-0.009,-0.003,0,0.003,0.009,0.015)对该微波介质陶瓷性能的影响。结果表明:少量的B位离子缺量,可以促进烧结的致密化。x为-0.009时所制陶瓷密度最大,达到理论密度的99%以上。在1400℃下烧结20h,可以获得εr=35.35,Q.f=40787GHz(f=5.180GHz),τf=-3×10-6/℃的0.6BCN-0.4BZN陶瓷。 相似文献
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在材料组成、烧结工艺不变的情况下,系统研究了还原气氛对Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响。研究结果表明,半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气氛,无论是Y5V、Y5u还是Y5P瓷片均有类似的变化规律。氧分压降低,电容器的电容量温度变化率△C/C变小,当H2:N2比例大于20:100时,瓷片的△C/C不再变化,大约为空气烧结瓷片△C/C的88%。在不改变瓷料组成、烧结温度的情况下,通过还原气氛的适当控制,可改善Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器的电容温度特性,而其他介电性能基本不变。 相似文献
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