新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6 K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200～ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数.     

纳米晶聚合物复合薄膜PbTiO3-PEK-c的电光特性及其弛豫过程的研究

制备了掺杂型纳米晶聚合物钛酸铅聚醚醚酮 (PbTiO3 PEK c)复合薄膜 ,采用简单透射技术测量了该复合薄膜的线性电光系数 ,并研究了该复合薄膜的电光特性的弛豫过程     

新型压电晶体La_3Ga_5SiO_(14)的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6K-1、3.8×10-6K-1,在453.15K时测得晶体的比热为0.90J/g·K,并在200～800nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数。     

PT-PEK-c电光聚合物薄膜的厚度和介电性质

研制了新的PT-PEK-c电光聚合物薄膜材料,用准波导耦合m线方法测量了PT-PEK-c电光聚合物薄膜的厚度,并测量了该聚合物薄膜在1×10²Hz到1×10⁷Hz频率范围内的室温介电常数.测量结果为:厚度d=2.328±0.315μm,在10KHz下,介电常数ε_r＝4023±0.063,介电损耗tanδ＝0.003.     

纳米微晶／聚合物复合材料介电性的表征

在全面考虑纳米（ｎｍ）微晶与聚合物所形成的复合材料的极化机构情况下,对纳米微晶和聚合 物分别采用Ｄｅｂｙｅ和ＮＨ函数弛豫理论,用Ｏｎｓａｇｅｒ有铲场理论详细计算了该类复合材料的复介电常数的频率响应。制备了纳米复合材料薄膜ＰＴ／ＰＥＫ－Ｃ。由以上理论结果模拟出的纳米复合的介电性和测量结果有较好的一致性。     

用ZCTC晶体倍频半导体激光的紫光输出

报道了新型金属络合物非线性光学材料ZCTC（硫氰硫锌镉）晶体的光学性质。测量了ZCTC晶体的折射率,计算了其相位匹配角度。进行了半导体激光（LD）室温下直接倍频实验。当808nm基频GaAlAs半导体激光功率为473mW时,获得了390μW、4040μnm紫光输出。实验表明ZCTC晶体是一种优良的半导体激光倍频紫外非线性光学材料。     

吡啶盐二维电荷转移分子的设计、合成和超级化氯的测定

设计、合成了以吡啶阳离子为吸电子基团的二维电荷转移非线性光学生色团分子－双四苯鹏(反式)-4,4'-二{p-[(N-乙基-N-羟乙基)氨基]苯亚乙烯基}-N,N'-(1,2-乙基)-2,2'-联吡啶盐和双四苯硼(反式)-N-己基-咔唑-3,6-二(p-亚乙烯基-N-羟乙基-吡啶盐),利用超瑞利散射技术(HRS)测定了这两种分子的第一超级化率β,在1064nm分别为786x10^-^3^0esu和1770x10^-^3^0esu。双能级模型计算得到的β0的值分别为215x10^-^3^0esu和119x10^-^3^0esu。从分子结构的角度定性地分析了该类分子具有大β值的原因。     

4,5-二硫基-1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮与若干卤代烃的反应产物及其衍生物

合成了一组DMIT衍生物,其中两个化合物完成了晶体结构测定,讨论了化合物的合成条件,结构与谱学特征.     

半导体激光倍频晶体硫氰酸汞镉(CMTC)显微结晶的研究

采用显微结晶,系统地观察、研究了半导体激光(LD)倍频材料CMTC晶体在KCl/H2O的溶剂体系中,不同条件下的结晶习性。结果给出：在KCl浓度为3;～10;范围,pH值为3.0～4.3范围时,结晶形态规则,各项生长速度均匀,结晶透明;pH值为2.0～3.0条件下,z轴方向生长速度变快,a轴方向生长速度变慢;杂质严重影响了结晶的质量和外形;溶液稳定性随时间的增长和温度的升高而逐渐变差。本文分析了CMTC单晶生长和定向生长适宜的溶液条件和关键。     

紫外倍频晶体硫氰酸汞镉的生长习性与形成机理研究

从结晶化学角度出发,研究了硫氰酸汞镉(简写为CMTC〕结构是的基本结构单无即H~gS~4和CdN~4R的结晶方位与晶体各簇晶面间的对应关系。在对CMTC的生长溶液结构测定和推理基础上,提出该晶体生长基元的结构形式和生长基元向各簇晶面上堆积的规律。进而讨论了该晶体生长习性的形成机理。实验表明,CMTC的生长溶液中存在着与晶体结构是相同的基团即阴离子多面体生长基元。随着生长条件和变化,生长基元的维度有所不同,不同维度的生长基元往各簇晶面上堆积速率也发生相应改变,从则解释了CMTC的生长习性和晶体形貌的多变性。