平面Gunn器件中的雪崩弛豫振荡

为了寻找一个高效率的固体振荡器,我们研究了Gunn二极管中的雪崩弛豫振荡。本文描述有源区比较短的平面Gunn器件,在数倍于阚值的强场下工作时出现的雪崩弛豫振荡,这种振荡现象归结于畴雪崩后的电子空穴对的周期性出现和消失。它的振幅可以比Gunn振荡大得多,而频率比Gunn振荡小几倍,并且受外电路参数影响很大,在负载匹配好的情况下,粗略地测得总效率可达36％。     

测量Gunn器件热阻的新方法

本文研究了Gunn器件中的畴雪崩阈值与温度的依从关系,证实了畴雪崩阈值也是随温度的增加而增加的。我们利用这一关系测量了普通Gunn器件的热阻,发现在工作点测得的热阻要比在低场下测得的热阻大得多。这一结果值得在器件设计和可靠性研究中加以利用。     

GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起静止畴的超宽带负阻

本文讨论了在CaAs 体效应器件中由于阴极附近深凹槽的掺杂分布引起的静止畴的超宽带负阻,在这一模型中电场分布不再是通常的三角形,而可以得到整个有源区内较为平坦的电场分布,利用这一模型用小讯号理论计算了它的负电导,可以在很宽的频段内获得负阻,实验上也观察到一些结果,利用这一结构可以制作超宽带负阻器件.     

平面Gunn器件中静止畴的形成和转变

本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静止畴的有关因素.本文指出,准静态时畴外电场的大小对静止畴的形成和转变具有关键的作用.还讨论了扩散作用对静止畸形成的影响.     

GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场的计算分析

本文讨论了GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场分布,指出掺杂浓度、有源区长度、扩散系数及外加偏压对电场分布的影响,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式进行了比较.     

高纯GaAs中的等离子体振荡现象

报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件 ,它是由很薄的高纯 Ga As层构成 (1— 2μm ) ,在强电场 (大于 2 0 0 k V/ cm )下产生雪崩击穿 ,形成一个由电子和空穴组成的等离子体 ,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率 ,并强烈地依赖于外磁场 ,因此可以做成振荡器及磁敏传感器 ,有广泛的用途     

Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟

本文讨论在GaAs n~+-n-n~+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响.     

新型砷化镓Z元件

本文报导了砷化镓材料制作的Ｚ元件,观察到Ｓ型负阻及相应的振荡波形,重点解决了Ｓ型负阻产生的原因及振荡机理,理论分析与实验相符。     

高线性度外延及注入GaAs Hall器件

讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度.GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中,可以得到在2.5T的强磁场下,±0.04%的高磁线性度.     

利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件

本文用计算机模拟分析了GaAs Hall器件的工作原理,当体内出现静止畴并扩展到Hall器件的电压端时,器件输出阻抗增加,Hall器件的灵敏度相应提高一个数量级;获得高灵敏度的静止畴型的GaAs Hall器件;在实验上证实了这一结果.这种新工作模式的器件将能得到更广泛的应用.