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本文由压电陶瓷中铁电畴极化取向的程度以及绝热条件下的压电方程组出发,推导出压电陶瓷振子谐振频率温度系数Tkf以晶格热膨胀系数、剩余极化强度等为变量的表达式。用“纯”Pb(ZrxTi1-x)O3(锆钛酸铅)的实验数据代入表达式计算,得到准同型相界附近组成的Tkf对Zr/Ti的关系曲线,与实验结果较好地符合。由本文的结论,成功地解释了极化工艺及热处理工艺对Tkf的影响,并讨论了改善压电陶瓷的频率温度稳定性的可能途径。 相似文献
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PbTiO3是钙钛矿型铁电体,采用一般方法烧结的纯PbTiO3陶瓷,因样品通过居里温度Tc≈500℃冷却时,由于晶轴方向的热膨胀系数差异较大,使晶界产生较大的应力,导致样品自行粉碎或使各种性能变坏.因而,在铅系压电陶瓷材料中常掺入微量Mn,Nb和Ce等元素,使材料的压电性能得到改善,这是达到实用化的一种比较普遍的方法. 我们对(xPbTiO3 yPbCeO3 zPbNb2O6) mMnO2(0≤y≤0.05,0≤z≤0.0 8,x y z=1.00,0≤m≤ 0.015)系列陶瓷,研究了不同掺杂量对材料的介电和热电性能的影响,以便按照实用要求决定最佳Mn,Nb和Ce的添加量. 材料为xPbTiO3 yPbC… 相似文献
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PLZT非晶薄膜光学性质研究 总被引:8,自引:7,他引:1
用溶胶-凝胶技术制备了化学组分为5/50/50的PLZT非晶薄膜。测试其200 ̄800nm波长范围的光学透射谱,和200 ̄670nm波长范围的椭偏光谱。得到了PLZT(5/50/50)非晶薄膜膜厚和光学常数谱(折射率n谱和消光系数κ谱),并与组分为9/65/35的PLZT非晶薄膜的吸收边和折射率进行了比较。 相似文献
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用提拉法从熔体中生长出Pb_(0.37)Ba_(0.63)Nb_2O_6和Pb_(0.30)Ba_(0.533)Na_(0.306)Li_(0.028)Nb_2O_6 两种铁电单晶。用X射线衍射方法分析了两种单晶的结构,结果表明,室温时两种晶体都属于四方晶系点群4mm。测定晶格参数得PBN晶体的a=12.493A和c=3.98A;掺Li,Na的PBN晶体的a=12.493A和c=3.970A。测定了两种晶体全部各52个电弹张量的分量,结果表明PBN晶体具有优良的压电性,其中压电系数d_15=108×10~(-12)C/N。这种晶体很有希望用作与厚度切变模式有关的压电换能器材料。掺Li,Na的PBN晶体的介电常数显著降低,而铁电居里点有明显的提高。 相似文献
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对六种钨青铜结构的铌酸盐铁电晶体进行了从15K到室温范围的介电特性及热电特性的研究。分析其介电特性和热电特性与极化电场的关系,用X射线粉末衍射进行佐证。证实在50—70K的范围内,SBN,PBN,KNSBN三类铁电钨青铜型铌酸盐晶体均存在着一个新的相变。相变是由点群4mm铁电相到点群mm2铁电相的转变。铁电自发极化方向由四方晶胞的e轴方向转变到正交晶胞的b轴方向。介电特性的高频及低频测量表明该相变具有扩散(或称瀰散)型特征。比热的实验结果证明相变是属于高于一阶相变的高阶相变。对相变前后的晶胞结构提出了一个模型解释。 相似文献
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