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无线电
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1.
n型硅中铂和钯的电学性质
孙恒慧
盛篪
陈巧珍
冯冠华
袁瑞舜
《半导体学报》
1981,2(2):107-116
本文用瞬态电容、热激电容和热激电流方法测量n型硅中铂和钯的电学性质.n型硅中铂的二个能级是E_c-0.22eV和E_c-0.30eV.掺钯的n型硅中亦存在二个能级为E_c-0.23eV和 E_c-0.29eV.第二个深能级 E_c-0.29eV由于它的位置和浓度与高温淬火引起的能级相仿,所以这一能级的起因尚需进一步研究.
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