一种电流检测PFM型LED驱动IC的设计

基于开关电源系统基本理论,采用电流检测脉频调制(PFM)模式,设计了一种新型大功率LED照明恒流驱动芯片.利用0.5μm CMOS工艺模型仿真,结果表明,该芯片具有高电源抑制比、2.5～400V宽输入电压范围、10 kHz～2.5 MHz可调工作频率和多种保护功能,LED驱动电流范围为几mA到1A,可驱动1个到几百个LED灯,特别适合大功率恒流驱动.     

SiO_2薄膜致密性的表征

论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试。结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关;而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法。     

一种电流模式PFM型LED驱动IC的设计

基于开关电源的基本理论,给出了一种电流模式PFM型LED驱动IC的设计方法.该方法采用0.5μm CMOS 工艺进行版图设计,并通过Candence进行电路仿真,结果证明,该芯片具有较高的电压抑制比和较宽输入电压范围(2.5～400V),且工作频率可调(10kHz～2.5MHz),并具有过流保护功能,特别适合大功率LED的恒流驱动.