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本文采用甚高频等离子体化学气相沉积技术 (VHF-PECVD) 制备薄膜硅/晶体硅异质结电池中的本征硅薄膜钝化层, 光发射谱 (OES) 测量技术研究了硅薄膜沉积过程中等离子体发光谱随时间的变化. 结果表明: 在实验优化条件下等离子体发光谱很快达到稳定 (大约25 s), 并且SiH*/Hα* 的比值随时间变化较小, 避免了生长过程中硅薄膜结构的不均匀性, 这主要是SiH4没有完全耗尽避免了SiH4的反向扩散. 进一步研究了沉积参数对稳态发光谱和硅薄膜性质的影响, 结果表明: 随着硅烷浓度增加, Hα*峰强度减小, SiH*峰强度增加, 薄膜从微晶转变成非晶, 非晶硅薄膜钝化效果好; 随着沉积气压增大, Hα*和 SiH*峰强度先增加后减小, 高气压下Hα*和 SiH*峰强度下降主要是反应前驱物的聚合形成高聚合物, 不利于形成高质量的硅薄膜, 因此钝化效果下降; 随着反应功率密度增加, Hα*和 SiH*峰强度增大, 当功率密度为150 mW/cm2 趋于饱和, 硅薄膜的致密度和钝化效果也开始下降, 50 mW/cm2的低功率密度下硅薄膜钝化效果差可能是由于原子H 浓度低, 不能完全钝化单晶硅表面的悬挂键.
关键词:
薄膜硅
异质结
光发射谱
钝化 相似文献
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探地雷达在地质勘探、军事、考古及建筑工程等领域有着非常重要的作用. 为提高地下目标探测的准确性与成像分辨率,增强对地下线型目标的探测能力,提出了一种用于中浅层地下目标探测的高增益圆极化双槽Vivaldi天线. 该Vivaldi天线的开槽部分由不同的指数线构成,使得槽的开口方向有一定的内倾,可以有效提高天线的增益;将两个双槽Vivaldi天线以正交的形式组合,并对天线两端口进行等幅、90°相位差的馈电,实现天线的圆极化辐射. 仿真与实测结果表明,所设计的高增益双槽Vivaldi天线在0.5~3 GHz内驻波比小于2,绝对带宽为2.5 GHz;带内增益均大于3.5 dBi,最大增益可达12.5 dBi;工作频带内轴比均小于3 dB且具有较好的时域特性. 所提出的天线具有超宽带、高增益、圆极化等特点,在地下目标探测中具有广阔的应用前景. 相似文献
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针对短波通信中无法避免的码间串扰问题,研究了聚类算法在信号调制识别中的作用,提出了一种利用广度优先搜索邻居(BFSN)聚类处理循环统计量特征的分类算法。该算法将循环统计量特征峰值作为聚类输入对象,通过BFSN聚类分析,剔除延时信号、噪声等造成的奇异类峰值,克服了多径效应产生的码间串扰影响,实现了2FSK、4FSK、BPSK、QPSK、16QAM、π/4-QPSK、π/4-DQPSK、8PSK等8种调制信号的自动识别。仿真表明,该算法聚类后提取的特征参数抗多径干扰能力强,同信道均衡方法相比识别正确率有5%的性能优势。低信噪比环境下的信号调制识别具有重要的工程应用意义。 相似文献
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我国古代冶金机械水力鼓风机——“水排”,是世界科学技术史上的重大发明之一。它发明于东汉初年,却到曹魏时代才得到推广和发展,中间被埋没近两百年,这深刻地反映出儒法两条路线对科学技术起到截然相反的作用。 “水排”是东汉建武七年(公元三十一年)杜诗出任南阳太守时,在总结当地劳动人民冶铁生产经验的基础上发明的。南阳是我国古代具有冶铁手工业传统的地区,早在战国时代就能锻炼钢铁,制造锋利兵器。西汉时代由于汉武帝实行盐铁官营政策,这里的冶铁业得到更大发展.在东汉以前冶铁鼓风(排)已由“人排”逐渐发展到“马排”。因此,“水排”的创造决不是个别人的偶然的行为,而是我国冶铁手工业工人生产实践经验的结晶。而杜 相似文献
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本文设计了一种基于STM32单片机的智能锁系统,采取指纹识别技术和射频识别技术两种识别方式进行用户身份的验证,提高门锁的安全性,具有很高的实用价值和广阔的市场前景。本文的设计以实际的需求作为出发点,使用嵌入式等技术作为开发基础,具体设计方案如下:在硬件上选择了STM32F103VET6作为主控芯片,AS608芯片做指纹识别功能,MFRC522做IC卡读写功能,有源蜂鸣器做报警提示,LM2596和AMS1117芯片为系统供电,串口屏做人机交互界面;在软件方面,使用C语言进行开发,采用模块化设计思想进行个功能的设计,方便日后的维护和升级。经过测试,系统最终完成了使用指纹识别、RFID识别来进行开关电控锁功能,并且系统运行稳定。 相似文献
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Molar volume, thermal expansivity and isothermal compressibility of trans-decahydronaphthalene up to 200MPa and 446K 下载免费PDF全文
The molar volume isotherms of trans-decahydronaphthalene (C10H18) between 293 and 446 K and at pressures from 10 to 200 MPa have been determined. A modified Tait equation of state is used to fit each experimental molar volume isotherm with a maximum average deviation of 0.029%. The thermal expansivity (cubic expansion coefficient) α and isothermal compressibility κ were determined by fitting the slopes of the isobaric curves and isotherms, respectively. The coefficients in the equation Vm=C1+C2T+C3T^2-C4p-C5pT have been fitted with an average deviation of 1.03%. 相似文献
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在带有石英视窗的可变体积高压釜内,于333,353,373和393K等4个温度下,测定了3.0~15.0MPa范围内超临界CO2与碳酸二乙酯(DEC)二元体系的气-液平衡数据.结果表明,当温度恒定时,随着压力的增大,液相中超临界CO2的浓度急剧增大,气相中碳酸二乙酯的浓度缓慢增加.根据实验结果推测出了体系的pc,Tc,xc和Vc等临界性质. 相似文献
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本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术在单晶硅衬底上沉积了两个系列的硅薄膜. 通过对样品进行固定角度椭圆偏振测试, 结果表明第一个系列硅薄膜为非晶硅, 形成了突变的a-Si:H/c-Si异质结构, 此结构在HIT电池中有利于形成好的界面特性, 对于非晶硅薄膜采用通常的Tauc-Lorentz摇摆模型(Genosc)拟合结果很好; 第二个系列硅薄膜为外延硅, 对于外延硅薄膜, 随着膜厚增加晶化率降低, 当外延硅薄膜厚度为46 nm时开始非晶硅生长. 对于外延硅通常采用EMA模型(即将硅薄膜体层看成由非晶硅和c-Si构成的混合层)拟合结果较好, 当硅薄膜中出现非晶硅生长时, 将体层分成混合层和非晶硅两层, 采用三层模型拟合结果很好. 本文证实了椭偏光谱分析采用不同的模型可对单晶硅衬底上不同结构的硅薄膜进行有效表征. 相似文献