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1.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。  相似文献   
2.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
3.
锥形光纤间耦合特性的分析与检测   总被引:2,自引:0,他引:2  
将通信光纤的末端拉制成锥形,利用光信号在光纤锥形区特有的传输和耦合特性,实现了光纤的耦合、连接和分束。用耦合模理论分析了锥形光纤间的传输和耦合性质,给出了光信号两锥形光纤间的耦合与两锥形光纤的距离和锥形区重叠长度等实验结果。  相似文献   
4.
DSP与PC间的数据通讯   总被引:1,自引:0,他引:1  
DSP由于具有高性能和灵活可编程的优点而得到广泛的应用。文章给出了用PC机作主机 ,DSP作从机来实现DSP与PC机间有效、可靠通讯的实现方法。同时通过一个数据传输程序的例子来详细阐述如何使用VB6.0专业版作为开发工具 ,并利用DSP中的SCI(SerialCommunicationInter face)模块来实现DSP与微机间的数据传递方法。  相似文献   
5.
采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化,并编制了软件,加入到GaAsICCAD系统中。应用该软件对X波段低噪声MMIC、超宽带MMIC放大器进行了设计,成品率有较大的提高,电路性能有所改善。  相似文献   
6.
介绍了《环境电磁波卫生标准》中辐射强度安全区域的划分、环境电磁波容许辐射强度的分级标准;《电磁辐射防护规定》中职业照射、公众照射的导出限值;结合实例计算了电视广播信号的复合场强和功率密度;讨论了电视广播信号对周围电磁环境的影响。  相似文献   
7.
8.
50W CO_2激光雕刻机控制系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍非金属材料表面加工的CO2激光雕刻机的基本原理其控制系统。  相似文献   
9.
就是众所周知的M—cap Supreme,这款德国的电容使用金属沉淀工艺处理的聚丙烯薄膜,拥有极好的低损耗特性。根据厂家的声明,所有的M—cap电容都拥有以下特性:  相似文献   
10.
鉴于用户对目前数据库接入技术要求的提高,一种基于XML技术对数据库接入进行优化的技术出现了。这种技术利用了基于XML传输时的可扩展、高度结构化等特性,在JavaBean,JDBC,Apache,Tomcat等设计组件及Linux体系结构的配合使用下.为用户提供了一个安全、高效、可扩展且访问灵活的数据库接入方式。  相似文献   
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