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以“反比例函数的图象和性质”为例,借鉴“两学一归纳”的教学方法,秉承提升学生数学核心素养的教学理念,精准把控学生心理,对初中数学教学方案进行设计,力求为学生提供优良的学习氛围. 相似文献
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基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3~3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片,通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°~360°移相范围。5.625°、11.25°、22.5°移相单元采用开关切换单阶磁耦合全通网络结构,45°移相单元采用开关切换电容补偿单阶磁耦合全通网络结构,90°、180°采用开关切换高通补偿两阶磁耦合全通网络结构。在片测试结果表明:在0.3~3.0 GHz频段内,数控移相器芯片64态移相均方根误差小于3°,插入损耗小于18 dB,全态移相附加调幅小于±1 dB,输入输出驻波小于1.9,静态功耗为3 mA@-5 V。芯片版图面积为5.00 mm×3.45 mm。 相似文献
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采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款17~21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构。测试结果表明,在17~21 GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 d B,均方根相位误差(RMS)值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 d B和0.6 d B之间,电压驻波比(VSWR)小于1.5。 相似文献
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研究了掺氮直拉硅单晶(NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响.通过不同温度高温退 火后,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微缺陷(BMD)密度与高温形核时间的变化关系 ,同时用透射电子显微镜(TEM)观察氧沉淀及相关缺陷的微观结构.实验结果表明高温退火后 氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用,在相同退火条件下NCZ硅中BMD密度要远远高于相应 的普通直拉硅.这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体(N-V-O)促进了氧沉淀的形核 ,而且TEM的结果表明氧沉淀的形态都是平板状,周围存在应力场.
关键词:
直拉硅
掺氮
氧沉淀 相似文献
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针对微波通信等领域的整机系统对超宽带数控衰减器的需求,采用GaAs pHEMT 0.15μm工艺研制了一款DC~40 GHz带数字驱动的6位数控衰减器芯片。衰减器电路采用6个基本衰减单元级联结构,每个衰减单元采用合适的电路拓扑,通过合理优化后,实现了低插入损耗、高衰减精度、低衰减附加相移和小尺寸的目标。由芯片在片测试结果可知,插入损耗小于6.5 dB,输入输出电压驻波比小于1.8:1,均方根衰减精度(64态)小于0.8 dB,全态衰减附加相移小于±10°,静态功耗为3 mA@-5 V,芯片尺寸为2.08 mm×1.1 mm×0.1 mm。 相似文献
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