基于 SE-Workbench-IR 的红外图像仿真

可见光图像仿真生成红外基准图,对提高红外成像制导武器命中精度具有重要意义。针对实地获取红外基准图成本高、难度大的问题,借助 SE-Workbench-IR 平台,实现了由可见光图像到红外基准图的仿真。首先通过 Photoshop 软件对图像进行分层,并在 SE-CLASSIFICATION 模块对各图层的地物分别赋予对应的材质,实现纹理分类;之后,在红外可视化面板设定生成红外图像的环境参数,运行软件获得红外仿真图像。仿真之后,用红外仿真基准图进行模板匹配,并通过匹配误差、均方根误差和交叉熵来评价仿真效果。实验结果证明：指定背景环境下的红外成像仿真的效果很好。     

OPCPA系统中光栅对不平行度对脉冲时间波形的影响

 利用光线追迹法和四阶龙格-库塔法分析了光参量啁啾脉冲放大系统中实际展宽器和压缩器所带来的各阶色散,并将其代入放大过程数值模拟了脉冲变化的情况,讨论了压缩器光栅对表面不平行、刻线不平行、信号光强度、泵浦光强度等因素对输出脉冲宽度和时间波形的影响。结果表明,光栅对表面不平行将引起脉冲宽度变大,且光栅顺时针旋转对脉冲宽度和波形影响更大。而光栅刻线不平行时,当仅考虑二阶色散时,夹角为0.8°时脉宽最小,考虑到三阶色散时,夹角为1°脉宽最小,且光栅顺时针和逆时针旋转对脉冲的作用相同。对实际OPCPA系统,当放大晶体材料及长度一定时,尽量调整压缩器光栅平行,信号光强度和泵浦光强度有一最佳值能使输出脉冲宽度达到最小。     

太赫兹共振隧穿二极管探测器研究进展及应用

太赫兹波独特的性质使其在物理学、生物学、医疗诊断、无损检测、无线通信等领域有着广阔的应用前景。共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,利用其负微分电阻和直流非线性特性,可以分别实现太赫兹波的产生和探测,近年来获得越来越多的关注。基于RTD的太赫兹探测器具有可室温工作、体积小、易集成、灵敏度高等特点,使其在未来短距离、超高速的太赫兹无线通信及万物互联等场景具备优势。本文将重点介绍太赫兹RTD探测器的研究进展及其应用进展,并对后续技术发展进行展望。     

聚丙烯及增韧剂对复合材料熔接痕强度的影响

研究了聚丙烯基体的熔体粘度(以熔体流动速率表征)、增韧剂POE的粘度(以门尼粘度表征)、增韧剂POE的含量等因素对聚丙烯复合材料熔接痕强度的影响。结果表明:聚丙烯基体/增韧剂的粘度比越小,聚丙烯复合材料的熔接痕强度越高,即聚丙烯粘度越小、增韧剂粘度越大,整个复合材料的熔接痕强度越高;增韧剂POE的含量越大复合材料的熔接痕强度越小。     

EVRC速率判决算法及DSP的实现

速率判决算法是变速率语音编码中最关键的技术之一,首先详细介绍了增强型变速率编解码(EVRC)速率判决的算法,然后具体阐述了如何在TMS320C54X系列的DSP上实现该算法。     

硫脲修饰Cd掺杂ZnO水溶性量子点的制备及表征

在非水稀溶液中以聚乙烯吡咯烷酮K-30为稳定剂,硫脲为表面修饰剂,制备Cd掺杂ZnO水溶性量子点荧光体;同时研究了基质的优化及硫脲含量对ZnO量子点发光性能的影响,Eu和Li的共掺杂对ZnO:Cd量子点发光性能的影响.采用紫外光谱、荧光发射光谱、红外光谱和透射电镜、XRD对样品进行表征.结果表明:经Cd优化基质后、Eu和Li的共掺杂使量子点荧光强度明显增强;硫脲修饰后纳米颗粒分布更加均匀、晶粒更小、荧光光谱蓝移、量子点产率增加;该样品XRD衍射峰是馒头峰.属于无定形态;红外光谱图中因硫脲引起的NH2和C-NH2伸缩振动吸收峰分别为3189.0,1088.2 cm-1,硫脲修饰的最佳浓度大约为32 mg/mL.该量子点制备方法简单易行,具有较好的稳定性及高荧光量子效率,为进一步应用于生物标记奠定基础.     

基于视觉注意模型的红外图像分级压缩方法

针对红外成像末制导武器人在回路模式中回传图像高压缩比与高保真度之间的矛盾,提出了一种基于视觉注意模型的红外图像分级压缩方法。在采用视觉注意模型提取得到红外图像显著区域的基础上,按照显著区域、背景区域、过渡区域对图像进行三级划分,然后根据不同区域图像中信息的重要程度采取不同的压缩方式,进而实现对整幅图像的压缩。实验结果表明:该方法在保留目标重要信息的同时,大大减少了图像传输的数据量,与传统的整图压缩方法相比,更适用于人在回路的应用场合。     

小鼠胚胎整合素β1受体表达的免疫电镜观察

生殖机理的研究是人类长期关注的重要课题，受精、胚胎着床、生长发育是多因数、多步骤的复杂过程，其分子机理尚不完全清楚。目前认为与激素、细胞免疫、细胞因子、整合素等综合因数有关。目前整合素在细胞黏附、受精、着床、发育生殖过程中的重要作用已经逐步得到人们的肯定。研究整合素表达与胚胎细胞表达的关系，对受孕机理的研究具有重要的临床意义。     

子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响

利用Silvaco软件对Al0.2Ga0.8N/GaN共振隧穿二极管(RTD)进行仿真,重点研究了InGaN子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流特性的影响。对比分析了子量子阱结构中InGaN的In组分和子阱厚度对RTD微分负阻(NDR)特性的影响,得出了提升器件性能的最佳参数范围。为了克服Al0.2Ga0.8N/GaN RTD势垒低对器件电流峰谷比(PVCR)的影响,在子量子阱结构的基础上引入了非对称势垒结构设计,通过改变收集区侧势垒的高度和厚度,将AlGaN/GaN的Ip和PVCR由基本结构的0.42 A和1.25,提高到了0.583 A和5.01,实现了器件性能的优化,并为今后的器件研制提供了设计思路。     

轴对称折叠组合多通道板条型CO2激光器

基于轴对称折叠组合腔CO2激光器和多通道板条型CO2激光器的特点,提出了轴对称折叠组合多通道板条型CO2激光器模型。通过对模型建立、参数设定、腔特性分析、数值模拟等方面的研究,得到输出光强的近场分布规律。通过分析可知其具有共面输出、多光束并和、光束分布高度对称、近场光能强并分布集中等特点。对CO2激光器的研究有一定的参考价值。