化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究

采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2μm,一致性良好。研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物。结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92MPa以上。剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落。     

LTCC在蓝牙技术中的应用

LTCC在蓝牙技术中得到广泛的应用，本文介绍了利用LTCC技术制备滤波器、天线的方法和原理，以及LTCC在蓝牙技术中未来的发展趋势。     

非水系锂空气电池的研究进展

综述了近年来非水系锂空气电池的电解液、空气电极和催化剂的最新研究进展,重点介绍了非水系锂空气电池电解液的分解和空气电极的结构设计,总结了多孔碳催化剂、金属氧化物催化剂和金属催化剂在空气电极上的电催化作用以及非水系锂空气电池未来的发展方向。     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。     

3-DMCM实用化的进展

介绍了 3- D MCM的四种封装模式的应用实例 ,详细讨论了各种模式的工艺 ,优点及存在的问题。 3-D MCM是未来微电子封装的发展趋势。     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八     

基于碳纳米管－聚苯胺纳米复合物的超级电容器研究

为了提高碳纳米管的比容, 采用化学原位聚合的方法在碳纳米管的表面包覆聚苯胺, 制备碳纳米管-聚苯胺纳米复合物. 运用TEM和IR对样品进行了表征. 通过循环伏安研究样品的电化学特性. 利用恒流充放电考察基于碳纳米管-聚苯胺复合物超级电容器的性能. 在相同实验条件下, 对碳纳米管进行了比较分析. 实验结果表明, 在电流密度为10 mA/cm²时, 碳纳米管和碳纳米管-聚苯胺复合物的比容分别为52和201 F/g. 基于碳纳米管-聚苯胺纳米复合物的超级电容器的能量密度达到6.97 Wh/kg, 并且具有良好的功率特性.     

内埋置元件基板技术的发展趋势（日本相关专利分析）

本文主要是依据日本近有关电子元件内埋置基板专利,进一步分析剖析日本在内埋置基本板技术方面的发展趋势,让读者对日本在元件内埋置基板的市场与技术趋势有进一步的了解,期望能对国内元件内埋置技术的建立与开发方向有所帮助。分析专利年代范围为1992～2002年。     

系统级封装（SIP）的优势以及在射频领域的应用

SIP（Systemin Package）,指系统级封装。它强调的是将一个尽可能完整的电子系统或子系统高密度地集成于一个封装体内。它与系统芯片（SOC）互补,实现一种新的更高层次的混合集成,具有设计灵活、相对成本低、周期短等优势,其优势使之更加适合于未来电子整机系统。文中分析了RFSIP在无源元件集成、高密度互连、微磁电结构和可靠性等方面的关键技术,介绍了SIP技术在射频领域的典型应用实例。     

高频印制电路基板材料

研究和开发具有低介电常数和高传输特性的高频印制电路基板,是印制板产业的重要技术发展方面。本文介绍了各种高频印制电路基板的特性。聚四氟乙烯系高频基板具有优良的介电常数及物化特性,具有广阔的潜在应用前景。