测定外延层电阻率的面接触方法研究

评论了美国科学家C.C. Allen等于1966年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性,从而提出了本方法。本方法从理论上解一维Poisson方程并与C.C。Allen法的公式相比较,获得某些公式。文中导出了面接触方法雪崩击穿电压V_(Ba)~∞(V)及点接触方法雪崩击穿电压V_(Bp)~∞(V)的比值为V_(Ba)~∞=0.456;同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为t_(min p)(μm)和面接触方法外延层耗尽层宽度t_(mina(μm)的比值为t_(minp)/t_(mina)=2.565。在实践上,为证实两种模型的功能,利用两种探针进行了对比测试。一种是通常被采用的点接触锇尖探针:另一种是利用φ0.8±0.1mm的银针,在银针顶上吸上φ0.4±0.1mm的汞球,以实现面接触。理论和实验吻合良好。     

单晶硅材料补偿度的确定

本文叙述了ｐ型及ｎ型硅材料杂质补偿度确定的各种方法，并评述了各种方法的实验条件及其优缺点，还指出了目前我国各单位采取的简单而较可靠的方法。     

微分C—V法和C—V法测量硅外延层杂质纵向分布的指数模型

提出了n/n~+或p/p~+硅外延层电荷密度ρ随x~(n-2)方式变化的正、负指数分布模型。导出了微分C—V法和C—V法杂质浓度纵向分布公式;也导出了两方法的耗尽层宽度公式。引入了n参数[logC—log(V_p—V)直线的斜率负倒数],可免去ASTMF419和SJl551—79逐点测量的麻烦,并使数据处理更为精确。还给出了硅外延层中杂质浓度纵向分布的规律。     

三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型

本文分析了三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型,理论和实验结果吻合。     

积分C—V法测量杂质纵向分布均匀的硅外延层电阻率

本文提出了积分Ｃ－Ｖ法，它适用于杂质纵向分布均匀的外延层电阻率的测量。该方法简便。在上述外延层上，微分Ｃ－Ｖ法、Ｃ－Ｖ法和本法－积分Ｃ－Ｖ，实验结果三方法吻合良好。