Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE

InGaAs/GaAsP strain-compensated multiple quantum wells (SCMQWs) and strained InGaAs/GaAsmultiple quantum wells (MQWs) were grown on GaAs substrates by metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE). The results of double crystal X-ray diffraction (DCXRD) revealed that strain relief had beenpartly accommodated by the misfit dislocation formation in the strained MQW material. It led to thatthe full width half maximums (FWHMs) of superlattice satellite peaks are broader than those of SCMQWstructures, and there was no detectable room temperature photoluminecence(RT-PL)for the strained     

MOCVD生长1．06μm InGaAs／GaAs量子阱LDs

用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。     

基于代价敏感结构化SVM的目标跟踪

基于结构化SVM的目标跟踪由于其优异的性能而受到了广泛关注,但是现有方法存在正样本和负样本不平衡问题。针对此问题,该文首先提出一种用于目标跟踪的代价敏感结构化SVM模型,其次基于对偶坐标下降原理设计了该模型的求解算法,最后利用提出的代价敏感结构化SVM实现了一种多尺度目标跟踪方法。在OTB100数据集和VOT2019数据集上进行了实验验证,实验结果表明:该文方法相比相关滤波目标跟踪方法,跟踪精度较高,相比深度目标跟踪方法,具有速度优势。     

MOVPE生长AlAs/GaAs Bragg反射膜

采用常压金属有机物气相沉积法生长AlAs/GaAs周期性反射膜,并利用双晶X射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段,对材料结构及光学性质进行了分析.实验结果表明,在780℃连续生长的薄膜结构和晶体质量都很好,但是反射率低;通过模拟计算,连续生长存在渐变层,而渐变层大大降低了反射率;在同样生长条件下间断生长得到较高反射率的薄膜材料.     

化学溶液分解法制备(Bi0.8Ce0.2)2Ti2O7薄膜及性能研究

采用化学溶液分解法(CSD)在p型Si<100>衬底上制备了(Bi0.8Ce0.2)2Ti2O7薄膜,采用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.研究表明:Ce3+部分取代Bi3+能够显著提高Bi2Ti2O7薄膜的相稳定性.同时还研究了薄膜的电容-电压特性、介电常数、介电损耗.结果表明,该薄膜具有良好的介电特性.     

Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以及Eg 以上成对结构跃迁的能量位置 ,并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定。     

苯热条件下GaP纳米晶的稳定性

用高温高压苯热合成方法制备了GaP纳米晶,用X射线衍射、光吸收谱及透射电子显微镜对所得样品进行了分析测试．结果表明,GaP纳米晶在苯热条件下是亚稳定态的,反应时间过长及反应温度过高均不利于它的生成和生长．文中还讨论了晶粒度分布与合成条件间的关系,并进行了理论上的定性分析．     

AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品.用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数,并求其介电函数的三级微商谱.用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0以及 Eg以上成对结构跃迁的能量位置,并对其结果加以分析.同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定.     

InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响

本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs／A1GaAs应变多量子阱，量子阱的厚度分别为3nm和6nm，对其光致发光谱(PL)进行了研究，二者的发光波长分别为843nm和942nm，用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs／A1GaAs量子阱带隙的改变，这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。