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利用磁控溅射技术,在硅基底上(100)成功制备了ZnO薄膜。分别利用原子力显微镜和拉曼光谱仪对其表面形貌、颗粒度、粗糙度和拉曼光谱性能进行表征、分析,两种方法所得结论基本吻合。研究结果表明,ZnO薄膜结晶度良好,颗粒分布均匀,具有良好的c轴取向。原子力显微镜表征结果表明,氧分压小于50%时,ZnO颗粒度和RMS粗糙度随通入氧气分压增加而减小:氧分压大于50%时,ZnO颗粒度和RMS粗糙度趋近于一常数。拉曼光谱表征结果表明,ZnO的拉曼特征峰E2(high)表现出尺寸效应,即随氧气增加(小于81.25%)ZnO颗粒度减小,使特征峰的峰位向高频移动,特征峰的半高宽增大;ZnO薄膜内部张力随氧气分压增加(小于81.25%)而减小。 相似文献
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