微波高功率双介质栅静电感应晶体管

提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在400MHz时输出功率大于20W、功率增益大于7dB、漏效率大于70%和700MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5dB,漏效率大于50%的高性能静电感应晶体管.     

(Li,Mg)∶ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征

利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg)∶ZnO薄膜。重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg)∶ZnO薄膜的结构及光学性质。扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明随着膜厚的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜的晶化程度及c轴择优取向性增强。但薄膜厚度的增加是有一定范围的,当薄膜厚度过大时,薄膜均匀性、致密性及c轴择优取向性显著下降。样品的荧光光致发光(PL)谱表明,Mg的掺入使近紫外发光峰出现了蓝移,恰当膜厚的(Li,Mg)∶ZnO薄膜发光特性主要以深能级发射(DLE)为主,蓝绿发光峰强度很高。     

一种具有高正向阻断电压及优良开关特性的新型静电感应晶闸管

设计并构造了一种具有条状阳极P-缓冲层结构（SAP-B）的新型静电感应晶闸管。该结构以具有p- 缓冲层和嵌入p+发射区（条状阳极区）的弱掺杂n-发射区（泄漏阳极区）为特点。与传统扩散源区埋栅结构相比,SAP-B结构可进一步简化工艺,并将扩散源区埋栅结构静电感应晶闸管的正向阻断电压从1000V提高至1600V,阻断增益从40提高至70,同时将关断时间从0.8μs降低至0.4μs。     

高性能CMOS运算放大器的设计

基于0.5μm标准CMOS工艺,利用折叠式共源共栅电路和简单放大器级联结构,设计了一种增益高、建立时间短、稳定性好和电源抑制比高的低压CMOS运算放大器.用Cadence Spectre对电路进行优化设计,整个电路在3.3V工作电压下进行仿真,其直流开环增益100.1dB,相位裕度59°,单位增益带宽10.1MHz,建立时间1.06μs.版图面积为410μm×360μm.测试结果验证了该运算放大器电路适用于电源管理芯片.     

埋栅结构双极型静电感应晶体管动态特性的改善

双极型静电感应晶体管(BSIT)的失效经常出现在阻断态与导通态之间的瞬态过渡过程。因此,研究BSIT的开关动态过程的物理机理对于设计和制造高性能器件有着重要意义。本文深入研究了埋栅结构电力BSIT瞬态过程的动态特性,讨论了材料、几何结构与工艺参数对BSIT动态性能的影响。提出了一系列改善BSIT动态特性的工艺措施。     

埋栅型电力静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ特性反向转折机理

研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子-空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性.首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致.     

MPS二极管的少子特性仿真

混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大。虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度。折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管。     

Na/Mg共掺ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性研究北大核心CSCD

利用溶胶-凝胶旋转涂膜法在耐热玻璃衬底上制备了不同膜厚的Na/Mg共掺ZnO薄膜。重点研究了膜厚对Na/Mg共掺ZnO薄膜结构和光学特性的影响。扫描电子显微镜（SEM）图像和X射线衍射（XRD）图谱分析结果表明,膜厚为200~500 nm时,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性、致密性及c轴择优取向生长特性都呈现出先增强后降低的趋势。透射光谱分析结果表明,薄膜在可见光范围内的平均透光率随着膜厚的增加而显著下降。实验条件下,膜厚约为300 nm的Na/Mg共掺ZnO薄膜具有优良的结构特性和透光特性。荧光光致发光（PL）谱表明该薄膜中缺陷很少,是优良的紫外发光材料。     

基于CMOS工艺的负压低压差线性稳压器设计北大核心CSCD

设计了一种应用于射频功放的负压低压差线性稳压器。通过设计负压带隙基准源,以及采用预稳压模块,有效地降低了电源电压对负压LDO输出电压的影响;通过优化控制环路中的功率管尺寸、误差放大器以及电阻反馈网络等措施,在保证大电流输出的前提下,有效地降低了负压LDO的压差,提高了稳压器的整体性能。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行设计并实现,测试结果表明,当输出电流为500mA,输出电压为-3V时,压差仅为170mV。