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1.
测定了丝瓜种子萌芽及子叶不同生长阶段的谷氨酰胺合成酶(GS)的活性及其同工酶的变化.除了发育上的变化外,光和外源氮对GS活性及其同工酶影响也是显著的.无论外源氮(N)是否存在,GS活性在种子萌芽和子叶生长初期是逐渐升高的,于第6天达到最大,其后活性逐步降低.在光照下,外源氮对GS1诱导作用大于GS2;在无氮下,光对GS2的刺激大于GS1;在暗处,外源氮对GS1和GS2两者都有诱导作用.  相似文献   
2.
半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS软件对工作波长为808nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模拟得出不同热沉参数条件下封装激光器芯片有源区温度的变化曲线,并提出一种散热较好的结构方案。  相似文献   
3.
采用Native-PAGE和活性染色的方法检测黄瓜种子萌发和子叶发育过程中GS同工酶的类型和活性,以期了解同工酶在子叶发育过程中的作用,在下种子中,只观察到一种不同于GS1和GS2形式的同工酶随着发育过程迅速消失,在种子萌发和子叶发育过程中,子叶GS1活性先于GS2出现,而且两者活性均很快升高;子叶绿化后GS2是主要的,外源氮素能硅著增强它的活性;子叶发育后期这两种同工酶活性逐步下降,在真叶发育中,同样观察到两种GS同工酶,以GS2为主.在暗转光后,GS2明显被诱导;而当光/暗转换后,GS1活性在子叶和真叶中均显著增加.GS同工酶活性随发育以及环境条件的变化而改变的现象与它们在代谢上的功能需要是一致的。  相似文献   
4.
基于概念的教育资源元素材聚类方法研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
针对教育资源元素材种类多、独立性强等特点,研究了概念聚类方法解决领域知识的分类和归并问题,并实现了概念的动态聚类算法和归并算法,分析了该算法的效率和聚类准确性.  相似文献   
5.
随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率为10 W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2 W,耦合效率为96.8%。  相似文献   
6.
介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%,样品表面的As-O键和Ga-O键基本消失。  相似文献   
7.
高血压患者血清中微量元素镉铅含量水平的探讨   总被引:5,自引:2,他引:3  
165例高血压患者血清中镉和铅的含量与对照组比较,两者均出现升高,差异有高度的显著性,P〈0.01。临床上应及时服用适量的硒和锌以拮抗镉与铅的毒害作用,促进机体康复。  相似文献   
8.
9.
半导体激光器腔面增透膜AIN薄膜的制备   总被引:3,自引:2,他引:1       下载免费PDF全文
提出了一种新的半导体激光器增透膜——A1N膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值.采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+ Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能...  相似文献   
10.
为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8nm,而电子束蒸发法制备的200nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3nm。两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用。将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高了1.6倍。  相似文献   
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