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JavaCard将标准API的定义引入了嵌入式开发,这带来了平台和应用开发的分离,使得开发更为便利.而当发行后的平台有新增功能的需求时,需要考虑在平台还是应用层来进行实现.如需在每个应用中进行实现,代码会冗余、空间占用会增大;如采用传统的补丁方式,实现又有较多限制.在避免重新掩膜的情况下,本文提出一种后下载库包的方法,将新增功能定义为库包,库包的实现采用Java包的方式,在平台上先下载实现好的库包,再下载调用库包的应用.验证表明,该方法具有节省空间、方便实现以及节省成本等优点. 相似文献
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作为一种广泛使用的工程塑料,尼龙的老化备受关注。当作为电力系统芯片的封装材料时,尼龙在自然环境下的老化有可能会导致封装失效,从而影响芯片使用的可靠性,严重时甚至导致芯片的失效,给电力行业带来巨大损失。常规的自然老化和人工加速老化评价周期非常漫长,不同因素对尼龙老化的影响机理十分复杂,且这种影响难以研究,使得评价尼龙的老化稳定性成为一大难题。采用自主开发的原位老化评价系统,对尼龙6(PA6)和尼龙66(PA66)的老化稳定性及湿度对老化的影响进行了研究。该系统可以实现光照/温度/湿度/氧气等环境因素的加载,通过高灵敏度地测定材料在综合环境因素作用下产生的气相降解产物来评价材料的老化稳定性,评价时间缩短到几小时。实验表明,PA6和PA66的气相降解产物以H2O和CO2为主,由于H2O在气相中的浓度不稳定,因此以CO2的产生量作为老化评价指标。通过对不同自然老化时间PA6和PA66的原位老化评价,并与其ATR-FTIR红外光谱图进行对照,证明了原位老化评价方法能够较好地反映尼龙的老化程度,自然老化时间越长,PA6和PA66的稳定性越低,CO2的产生量越大。进一步,采用该方法研究了湿度对PA6和PA66老化反应的影响,证明增大湿度对尼龙老化存在促进作用,而且升高温度会进一步促进湿度对老化的促进作用。研究表明,原位老化评价方法是一种快速评价尼龙老化稳定性及环境因素影响的有力手段。 相似文献
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在时间交织ADC结构中,本文基于压缩感知理论提出一种无冗余通道随机化方法.利用随机数决定当前通道ADC是否采样,当有多个通道ADC空闲时随机选择某个通道进行采样,实现时间交织ADC的欠奈奎斯特随机化采样.在此基础上,基于观测矩阵和正交匹配追踪算法对时间交织ADC的数据进行重建,获得完整的ADC量化结果.通过MATLAB... 相似文献
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Fluorine-plasma treated AlGaN/GaN high electronic mobility transistors under off-state overdrive stress 下载免费PDF全文
Dongyan Zhao 《中国物理 B》2022,31(11):117301-117301
Influences of off-state overdrive stress on the fluorine-plasma treated AlGaN/GaN high-electronic mobility transistors (HEMTs) are experimentally investigated. It is observed that the reverse leakage current between the gate and source decreases after the off-state stress, whereas the current between the gate and drain increases. By analyzing those changes of the reverse currents based on the Frenkel-Poole model, we realize that the ionization of fluorine ions occurs during the off-state stress. Furthermore, threshold voltage degradation is also observed after the off-state stress, but the degradations of AlGaN/GaN HEMTs treated with different F-plasma RF powers are different. By comparing the differences between those devices, we find that the F-ions incorporated in the GaN buffer layer play an important role in averting degradation. Lastly, suggestions to obtain a more stable fluorine-plasma treated AlGaN/GaN HEMT are put forwarded. 相似文献
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