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铝电解电容器铝箔腐蚀系数的理论分析与计算 总被引:2,自引:2,他引:0
本文介绍了腐蚀铝箔的隧道模型及立方孔模型,以及从隧道模型出发计算腐蚀系数的方法。在引入一个隧道有效半径ρ’的概念后,对于为什么在实际测得的VC_t-V关系曲线中在25V左右出现一个微小的极大可以得到解释。 相似文献
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阴极铝箔化学腐蚀工艺研究:Ⅱ.关于阴极铝箔容量衰减问题 总被引:2,自引:2,他引:0
在30酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压(E-t)曲线,根据曲线转折电压E转判断表面氧化膜相对厚度,发现膜厚与电容器有很好对应关系。用pH=2磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄,随时间增厚,容量下降幅度大。改用pH=3.4磷酸钝化液,形成的氧化膜较厚,较稳定,容量下降得到改善。对此作了分析探讨。 相似文献
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Fe,Si杂质含量对电解电容顺低压阳极铝静电容量的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
Fe在高纯铝中的存在状态直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度,从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Fe,Si析出的轧箔工艺,即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧,使Fe,Si来不及析出,这样,99.98%Al就其Fe,Si析出量而言,实际可达到99.99%以上铝的水平,更进一步,控制Fe,Si析出分布状态的轧箔工艺,有可能用99.93%-99.98%铝得到99.98%以上纯度 相似文献
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铝箔在盐酸中的交流电侵蚀研究——Ⅲ.交流电频率的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用10-100Hz频率的交流电研究了铝箔在盐酸溶液中的电解侵蚀,以获得高的表面积扩大率K0值。K0与频率的关系曲线上存在一相对最佳频率fm。fm随温度升高移向较高频率端。20Hz与35℃条件下得到的K0值最大。频率增高有利于使侵蚀膜增厚,温度升高使膜溶解。用膜重G击破电位Ep与f之间的关系解释了K0的变化。讨论了铝箔原始表面状态对侵蚀过程的影响。 相似文献
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铝箔在盐酸中的交流电侵蚀的研究—Ⅰ.50周交流电侵蚀 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了电解电容器用铝箔在5M HCl中用50周交流电侵蚀时温度、电流密度、铝箔纯度以及H2SO4添加剂等因素对表面积扩大率K值的影响。得到高K值的关键是得到高质量的侵蚀膜,SO42-是成膜所必需的。用剥膜称重法得到了不同条件下单位真实表面积上的膜重,结合电位波形图解释了一系列现象。侵蚀过程中出现的表面大量掉落黑粉,箔厚减薄、比容不再随电量而增加的现象与侵蚀孔中pH过高、侵蚀膜(氧化铝)水化程度高、体积大因而堵塞小孔有关。保证有足够的H+扩散进入孔中是得到高K值的又一关键。 相似文献
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铝箔先与热水反应,再进行阳极氧化,可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器 相似文献
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中高压铝电解电容器阳极引出片的腐蚀及其模型的探讨 总被引:4,自引:2,他引:2
回顾了文献上对阳极引出片腐蚀原因的分析,提出了Cl-引起的铝的局部小孔腐蚀存在一个诱导期,诱导期长短与多余电解液的量等有关。控制多余电解液的量后,400V-150μF产品已通过95℃,1000h耐久性试验,提出了强电场作用下铝的小孔腐蚀模型。 相似文献
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提高铝箔比电容的新途径:引入高介电常数金属(陶瓷)氧化的 总被引:4,自引:2,他引:2
介绍国外在高扩面倍率η,低介质膜厚度d的铝电解电容器中引入同εr值的其他阀金属氧化物和陶瓷,以期进一步提高铝箔比电容的新方法。 相似文献