低频窄带陶瓷滤波器

利用低机电耦合系数的压电陶瓷，制作一种低频窄带陶瓷滤波器。这种梯形陶瓷滤波器中心频率为140kHz，具有低插损、高阻带、高选择的特点。为了改进其可靠性，还为这种滤波器设计了一种新颖的组装结构。     

1616MHz微波介质滤波器的设计及制作

提出了一种利用Ansoft-HFSS软件辅助设计微波介质带通滤波器的设计方法。通过公式初步计算出器件结构参数,再利用软件建立器件模型,仿真优化,最终提取准确的结构参数,并采用传统的电子陶瓷生产工艺制备样品。结果表明,样品的中心频率为1 616.7 MHz,3 dB带宽为23 MHz,插入损耗为1.48 dB,电压驻波比小于1.23,带内纹波小于0.1 dB。测试结果与仿真结果相吻合,验证了该设计方法的可行性和正确性。     

用RF平面磁控溅射高度c轴取向ZnO压电薄膜

c轴取向ZnO薄膜是一种性能优良的新型压电薄膜材料,广泛用于声体波、声表面波和声光器件中.本文概述了ZnO薄膜的性能、用途和成膜方法.介绍了用本所设计改装的RF平面磁控溅射设备研制c轴取向ZnO薄膜的性能及在ZnO薄膜SAW电视中频滤波器、微波延迟线等器件上使用的结果.这种薄膜结晶取向好,C轴标准偏离б=1.5—3°,平均偏离m=0.1—0.8°,有强的压电性,K_s=0.75—0.89%,K_1=0.23—0.28.而且重复性、稳定性好.     

NBT基无铅压电陶瓷滤波器

主要研究了用改性的(NaBi)0.5TiO3(NBT)基无铅压电材料制作的压电陶瓷滤波器。在研究过程中出现很多不同于以往的情况，这些一方面是由于NBT基材料与传统PZT基材料的介电性能有较大差异造成的，另一方面说明NBT基材料的压电性能较PZT基材料还有进一步提高的必要。     

ZnO/玻璃层状结构SAW器件的刻蚀工艺探索

本文介绍ZnO/玻璃层状结构器件的刻蚀,Al膜和ZnO膜腐蚀溶液的选择,以及腐蚀时腐蚀液浓度,温度和时间对器件的影响.