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研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7~0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si:H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μc-Si:H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si:H材料的有效途径. 相似文献
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对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
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针对表面微加工MEMS谐振器由于温度改变引起的电气失效问题,采用一种高温度稳定性的斜梁支撑结构将温度变化引起的谐振器形变转化为水平位移,有效地避免了谐振梁与电极之间因材料热胀冷缩引起的电气失效和动态阻抗变化。在温度升高100°C的情况下,直梁支撑结构在垂直电极方向的位移为0.153μm,而文中所提出的斜梁支撑结构的位移为0.017μm;在提高温度稳定性的同时降低了由于电极间隙增大引起的谐振器动态阻抗变化,在0.3μm的初始间隙下,斜梁支撑结构的谐振器在温度升高100°C时的动态阻抗为直梁支撑谐振器的24%,损耗为-52dB,相比于传统直梁支撑结构的-61dB改善了9dB,有效地提升了MEMS谐振器的温度稳定性。 相似文献
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基于ARM11的嵌入式Web网络监控系统设计 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了以基于最新ARM11体系结构的S3C6410处理器为核心的嵌入式Web网络监控系统的相关理论与可行性,并且以此为基础给出了一种创新的基于S3C6410处理器实现嵌入式Web网络图像与视频传输系统的解决方案.该方案首先论述了选择ARM11处理器的原因,并且重点介绍了采用S3C6410的优势,简要介绍了各种相关的集成... 相似文献
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研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si∶H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7~0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si∶H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μc-Si∶H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si∶H材料的有效途径. 相似文献