用于大面积显示的低成本纳米管场发射显示器

我们验证了一个显示视频图像的阴极阵列,它基于6in对角线、QVGA分辨率的碳纳米管,采用了简单的低成本器件结构。该纳米管是利用选择性化学汽相沉积法生长在特定位置上的,对净化阴极具有良好的可控性。该器件结构只需要三个低分辩率的掩膜工序,开关电压为50V。此外,我们的器件设计为较长的显示寿命创造了条件。在一个较小的全熔接密封的试验显示器上,我们已经记录了超过3000小时的寿命,而电流仅下降了20%。     

聚焦离子束系统中图形发生及自动套准系统的研究

本文描述了一种用于聚焦离子束系统的图形发生器和自动套准系统的研究和实现，并探讨了发展和改进的方向。该系统采用硬件实现扫描控制和坐标变换。在我们的实验条件下，实现了单场扫描２秒钟，套准计算４秒钟，该系统同样也适用于电子束曝光机系统 。     

像增强器荧光屏亮度均匀性自动测试系统

像增强器荧光屏亮度均匀性是评价像增强器的重要指标，其测试是像增强器测试领域的重点与难点。本文介绍一套我们研制的像增强器荧光屏亮度均匀性自动测试系统，该系统使用图像采集与图像处理技术，做到了自动测试，并且使测量精度提高了一个数量级。文章首先介绍了像增强器荧光屏亮度均匀性定义与传统光学测试方法，然后从传统方法的缺陷入手，系统阐述了新系统的工作原理、系统构成、测量结果。文章的最后对新系统测试结果与目前常规使用的光学测量结果进行了比较，从而体现该系统的独特性与优越性。     

用电子束激发测量高阻半导体材料的漂移迁移率

本文概述了高阻低迁移率薄膜半导体材料漂移迁移率的测量原理以及实现该参数测量的具体方法。测量方法的特殊性是由材料的高电阻率和低迁移率性质所决定的。所获得的结果说明了方法的可行性。最后讨论了进一步改进测试方法的方向。     

场发射显示器的发展近况

概述场发射射显示器９０年代中期的发展状况。分析障碍ＦＥＤ商品化进程的原因。并对国外场发射体阵列的研究方向作了简要的介绍。     

形形色色的平板显示器

随着技术的发展和人们要求的不断提高,对于原来传统的阴极射线管（CRT）显示器的体积大、重量大和功耗大的缺点越来越不满意。特别是在便携式、小型化和低功耗的应用中,人们期望着体积小、重量轻和功耗小的平板显示器的出现。在这种需求的推动下,液晶平板显示器件（LCD）首先应运而生,并占领了相当大的市场。其后,相继又有等离子平板显示器（PDP）、电致发光（EL）平板显示器、真空荧光平板显示器（VFD）、发光二极管（LED）平板显示器和场致发射平板显示器（FED）等问世。这么多种类的平板显示器,它们的应用前景究竟怎样？在…     

场发射平面显示器件面临的困难和前景

分析了以Ｓｐｉｎｄｔ场发射尖锥为基础的场发射平面显示器（ＦＥＤ）,在技术上所面临的困难及其前景,同时也展望了很有希望的、其他类型场发射平面显示器。