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从模拟和试验二方面对N区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究.考虑到工艺条件,主要讨论N-区的掺杂浓度(NN-)的变化对器件可靠性的影响.通过模拟和从实际工作中得到的结果,对于0.35-1.2μm器件,我们将N区的掺杂浓度优化为7×1017-1×1018/cm3.利用优化结果进行试验生产,并对器件寿命进行测量的结果表明,沟道长度0.8μm以上的均可以在5V的电源电压下可靠地工作10年(工业标准);0.4μm的器件,可以在4V的电源电压下达到10年的工作寿命(热载流子寿命). 相似文献
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集成电路片内铜互连技术的发展 总被引:8,自引:0,他引:8
论述了铜互连取代铝互连的主要考虑,介绍了铜及其合金的淀积、铜图形化方法、以及铜与低介电常数材料的集成等。综述了ULSI片内铜互连技术的发展现状。 相似文献
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低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
对LVTSCR(Low Voltage Triggered Silicon Controlled Rectifier)结构在深亚微米集成电路中的抗静电特性进行了研究.实验结果表明,LVTSCR结构的参数,如NMOS管沟道长度、P-N扩散区间距和栅极连接方式等,都对LVTSCR结构的静电保护性能有影响.利用优化的LVTSCR结构,获得了6000V以上的ESD失效电压. 相似文献