关于光缆链路设计衰减值的建议

降低光纤衰减是提高系统容量和传输距离的有效方式。随着100G、400G通信系统的到来,对降低光纤衰减提出了新的要求,每一个0.01dB/km的进步对于系统都是至关重要的。目前的线缆设计及光缆规范中,一直将最大的成缆后单芯光纤衰减作为衡量指标,该指标表示的是单盘光纤的最坏值,未能客观体现光纤链路衰减的实际性能,更不能有效体现光纤衰减的进步。本文描述了在光缆网络设计中采用链路设计衰减值的重要性,探讨了光纤在成缆后的衰减变化规律,通过采用蒙特卡洛法来计算成缆后光纤链路衰减值,为系统设计合理利用光缆链路衰减提供参考。     

弯曲损耗不敏感单模光纤1310nm处模场直径测试方法比对分析

本文通过实验的方法分析研究了不同高阶模滤除条件对ITU-T G.657.A2、A3和ITU-T G.657.B3类光纤模场直径测量结果的影响。实验表明,采用22m试样光纤的测试条件或采用将2m标准的G.652光纤熔接在2mG.657试样光纤上,并在标准的G.652光纤上绕两个40mm半径圈的测试条件均可以准确测试G.657.A类包括A3类和G.657.B类光纤在1310nm处的模场直径。采用其他不同的弯曲半径或通过绕更多圈的滤除高阶模的方法并不总能够有效滤除G.657.A类包括A3类和G.657.B类2m试样光纤中的高阶模。特别是弯曲性能好且λc≥1310nm的G.657光纤,1310nm处模场直径测试的结果会受高阶模影响,并导致实测值比正确值偏小。为了避免高阶模的影响,推荐采用22m试样光纤测试条件或采用将2mG.652光纤熔接在2mG.657试样光纤上,并在G.652光纤上绕两个40mm半径圈的测试条件测试G.657光纤1310nm处模场直径。     

低损耗、超低损耗单模光纤的应用现状综述

针对通信系统中逐步大量应用的低损耗、超低损耗光纤的现状,本文参考了行业内的相关技术资料,分析了低损耗、超低损耗光纤的相关特性,探讨了低损耗、超低损耗光纤的应用与发展前景,提出了光缆衰减链路值作为科学评价光缆衰减的参数,并列出了应用的实例及成本概算,最后结合现有标准的状况和生产实际提出了衰减指标的修改建议。     

国外FTTx中的光纤光缆新技术

本文主要介绍了田外在FTTx接入刚中与光纤光缆相关的一些新技术,包括架空引入光缆、光纤连接技术、PON的OTDR在线监测等。主要以对比研究和介绍经验为主。     

弯曲损耗不敏感单模光纤谱衰减性能测试分析

本文通过研究分析大量的实验测试数据,探讨了光纤中高阶模对于弯曲不敏感单模光纤谱衰减测试准确性的影响,并提出了相应的解决方案.