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化学法制备的纳米金属粉TEM观察李永洪,高愈尊,张泰宋(北京有色金属研究总院,北京100088)纳米材料是当代材料研究和发展的十大方向之一。为满足金属纳米材料和各种性能,特别是力学性能研究的需要,研制大块纳米金属材料已成为国内外纳米金属材料研究急待解... 相似文献
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用透射电子显微镜和扫描电子显微镜研究了金属陶瓷增强增韧机制,并用高压电子显微镜动态拉伸研究了第二相粒子对裂纹扩展的影响. 相似文献
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高频感应石墨条加热快速区熔再结晶工艺制备的无籽晶热沉积结构(Heat-SinkStruc-ture)SOI(SilicononInsulator)硅薄膜具有[100]取向,其缺陷被限制在厚SiO2层上的硅膜中,使薄的SiO2层上的硅膜成为无缺陷单晶区,宽度可达50μm以上,在缺陷聚集区观察到的缺陷主要是小角度晶界,绝大多数晶界的取向差都在3°之内.其类型多为混合型晶界,也观察到少量的扭转型和倾斜型晶界.缺陷聚集区中的位错或位错网络的走向是各种各样的,但其位错的柏氏矢量. 相似文献
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用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶SOI(SilicononInsulator)的微结构和微缺陷,实验观察表明,正常工艺条件下,经激光再结晶处理后硅膜可分为三个不同的区域:中间为单晶区,膜面取向为[100];两侧为再结晶大晶粒区;最外侧为尚未再结晶的多晶区.当工艺条件不适当时,在"单晶区"中存在亚晶界和大角晶界;在"单晶区"两侧,有排列整齐的180°微孪晶,孪晶面为{111}.再结晶大晶粒的取向没有规律性,多晶区由具有明显织构的柱状晶组成,文中讨论了缺陷出现的原因. 相似文献
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本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因. 相似文献
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本文通过高压电子显微镜对不同蠕变伸长量和添加不同微量元素(Ti和Mn)的掺杂钨丝的观察,对掺杂钨丝微观组织结构与高温蠕变性能的关系作了进一步的研究。本试验用钨丝直径约为1.25毫米,钨丝的高温蠕变伸长量选为0.5、1.5、2.0和2.5毫米。经电镜观察表明、掺杂钨丝中钾泡的组态与高温蠕变性能密切相关。高温蠕变伸长了0.5和1.0毫米的钨丝中钾泡平均直径分别为360和450A.而0.5毫米蠕变伸长的钨丝中平均直径达900A,高出一倍多,而且钾泡数量少、分布很不均匀。观察到的最长钾泡列,蠕变伸长≤1毫米的钨丝中可达3.5~5.0μm,而蠕变伸长为2.5毫米的钨丝中则钾泡列短得多,为2.0μm。钾泡的数量和弥散化程度是钨丝高温蠕变性能的决定性因素。弥散的钾泡可阻碍位错运动,既可以强化晶内,也可以强化晶界,它们总是有益的。但粗大的钾泡有益的作用不多,危害却不少,它们对位错和晶界的移动的阻碍作用不大,却容易成为位错发射源、裂纹和蠕变空洞形成源,最后会导致钨丝过早熔断。 相似文献
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