排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 553 毫秒
1
1.
2.
以荧光材料BePP2结合量子阱作为蓝光发射层,磷光材料GIrl和R-4B掺入到混合双极性主体材料CBP∶Bphen中分别作为绿、红发光层并且在红绿发光层中引入间隔层TPBI,组合得到发白光的混合型有机发光器件。其中量子阱是以BePP2作为势阱、TCTA为势垒。结果表明:当势垒层数为2时,器件的最大发光亮度和电流效率分别为21 682.5 cd/m2和23.73 cd/A;当电压从7 V增加到14 V时,色坐标从(0.345,0.350)变化到(0.340,0.342)。与无量子阱结构的参考器件相比,势垒层数为2的器件的最大功率效率为8.07 lm/W,色坐标变化相对最小为±(0.005,0.008),还有一个高的显色指数83。 相似文献
3.
研究了黄光OLED发光层间加入界面过渡层对OLED发 光性能的影响。实验制备新型黄光OLED的发光层结构为 CBP:R-4B/CBP:Girl:R-4B/CBP:GIrl,对比OLED的发光层结构为CBP:10%R-4B/CBP:10%GIrl、CBP: 10%GIrl/CBP:10%GIrl10%R-4B/CBP:10%R-4B和CBP:10%GIrl/CBP:10%R-4B。结果表明,在对比器 件的发光层界面间加入过渡层可显著提高器件的发光亮度和发光效率,新型器件在13V电压 下、电流密度为40.29mA/cm2时,发光亮度和发光效率分别达到 了11120cd/m2与27.59cd/A,较未加入过渡层的器件分别提 高了265%56.18%。分析认为,过渡层的 加入消除了由不同发光层间严格的界面效应而造成的界面缺 陷,增加了载流子传输速率与激子的复合效率,从而提升了器件的发光性能。 相似文献
4.
使用荧光染料TBPe和Ir(ppy)2acac 、R-4B两种光染料,采用蓝/红绿双发光层的结构,并结合TPBi对空穴的有效限制作用 ,制备了结构为ITO/MoO3(X nm)/ADN:(2%)TBPe(30 nm)/CBP:Ir(ppy)2acac(14%):R-4B(2%)(5nm)/TPBi(10 nm)/Alq3(30nm)/LiF(1nm )/Al(100nm)的磷光与荧光复合的白光OLED,其中,MoO3的厚 分别为0、15、20、30和40nm,通过改变MoO3的厚度调控载流子的注入能力,使用空穴阻挡层提高光效; 通过测量其电压、电流、亮度、色坐标和电致发光(EL)光谱等参数,研究不同厚度的MoO 3对器件发光性能的影响。结果表明,在MoO3厚为20nm的情况下,器件的效率滚降 最为平缓。在电压分别 为8、9、10、11、12和13V时,器件的色坐标分别为 (0.31,0.33)、(0.30,0.33)、(0.29,0.33)、(0.29,0.33)、(0.29,0.33)和(0.29, 0.33),具有较高的稳定性,原因为采用 蓝/红绿双发光层结构更有利于蓝光的 出射,且使用ADN主体材料掺杂蓝色荧光染料TBPe作为蓝光发光层降低三重态-三重态 湮灭几率。 研究还发现,在电压为11V、器件的亮度为9744cd/m2和电流密度为11.50mA/cm2时,最大器件的电流效率为 7.0cd/A。 相似文献
5.
BPhen作为发光层间隔层对黄光OLED的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
使用R-4B和GIrl作为磷光掺杂剂、CBP为主体、BPhen为发光层间隔层,制备了包含红、绿双发光层的黄色磷光OLED器件。器件结构为ITO/Mo O3(40 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP∶GIrl(14%)(20nm)/BPhen(x nm)/CBP∶R-4B(6%)(10 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(40 nm)/Li F(1 nm)/Al(1 000 nm)。BPhen位于两发光层之间,具有调节载流子复合的功能,其中x为BPhen的厚度。通过调整x的值,研究了BPhen厚度对OLED器件发光性能的影响。实验结果表明,适当厚度的BPhen层可以提高器件的发光亮度和电流效率。BPhen厚度为6 nm的器件性能最佳,16 V驱动电压下的器件亮度最高可达11 270 cd/m2,最大电流效率为24.35 cd/A,而且绿光和红光波峰强度相近,黄光颜色纯正,色坐标趋近于(0.5,0.5)。 相似文献
1