排序方式: 共有15条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
本文在探索半导体器件辐射损伤效应与机理的基础上,研究了通过器件的优化设计达到抗辐射加固性能要求的有效方法.基于0.18μmCMOS工艺条件,利用DVINCI三维器件模拟软件,建立了具有较好抗辐射性能的FD-SOI/MOSFET器件的加固模型,并提出了一种新型有源区裁剪(ARC)的双多晶硅栅结构晶体管.通过模拟辐射环境下器件的工作情况,证明该种结构具有很强的抗总剂量辐射的能力. 相似文献
3.
为了更为有效地降低手机基带芯片中GSM通讯模块的功耗,将门控时钟策略和GSM通讯模块的特点结合起来,用硬件电路精确控制GSM通讯模块的休眠,并且对可能遇到提前唤醒的场景提出了改进方法,EDA软件仿真和FPGA验证了该方法可以达到明显的功耗优化效果. 相似文献
4.
等效边缘电磁流法是计算超电大目标电磁散射特性的有力工具之一。当目标为复杂目标时,目标棱边提取是分析中的重要一环。文中根据目标模型特征提出了一种棱边提取的方法。使用商业软件Hypermesh建模并输出模型三角面元数据,采用穷举法给出所有三角面元及与其相邻的三角面元信息,通过设定角度阀值确定属于目标棱边的三角面元,接着判断该面元所含棱边的凹凸性,完成棱边提取。数值结果表明,该方法可以精准提取复杂目标棱边的数据信息。 相似文献
5.
电网调度运行是保证电力系统平稳运行的关键,已经得到了社会各界的广泛关注。本文将围绕电网调度工作的主要内容进行阐述,详细分析产生该现象的原因,以此为依据提出有效的解决对策,旨在为日后研究工作的顺利进行奠定基础。 相似文献
6.
本文介绍的HP测试仪与IBM PC微机构成的系统集测量与数据处理于一体,成功地实现了半导体参数的快速测量和提取,为集成电路和设计和开发提供了有效的手段,着重介绍GPIB测控总线与IBMPC系统总线的接口原理及软/硬件实现方法。 相似文献
7.
8.
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火时间对FPD缺陷密度的影响.结果表明,FPDs缺陷在1 100 ℃以下非常稳定;但是在1 100 ℃以上的温度,尤其在1 200℃对Si片进行RTA处理后,Si片中FPD的密度大大降低,而且随着的退火时间的延长,密度不断下降. 相似文献
9.
10.