深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计（上）

随着IC设计逐步进入VDSM阶段，SOC逐步成为设计的主流，IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时，主要关注芯片面积的大小；在80年代后期，延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题；进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题；近来制造中的成品率(Yjeld)，芯片工作中的可靠性，以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。     

Digital-S录像机维修使用实例

我台于1998 年购进了JVC公司的Digital-S系列摄录设备。这在全国是比较早的。使用至今积累了该设备的一些维修和使用经验,下面就提出一些常见的维修实例和使用技巧与同行交流。使用技巧实例1:BR-D50E,现象:当由暂停转为重放时图像开始不稳。处理:当用于播出时,由暂停转为重放状态,若菜单005设为AUTO TRACK,由于有几秒锁定的过程,图像会不稳,应设为OFF,将手动磁迹调至最大,这样图像在很短时间内就可以稳定,提高了播出质量。实例2:BR-D40E,现象:录制时带舱自动弹出。处理:这是由于带舱的光检测电路过于敏感所致。只需用一块黑胶布将…     

高可靠军用DC／DC电源变换器

介绍采用先进厚膜混合集成工艺制造的高可靠DC／DC电源变换器，包括厚膜导体复合结构、高可靠粘结工艺、等离子体清洗工艺、深腔键合工艺、Cu丝漆包线点焊工艺和平行缝焊结构等许多新工艺、新材料和新技术，此类电源变换器的电性能优良，可靠性高，气密性指标(漏气率)可达5&;#215;10^-4kPa&;#183;cm^3／s，丝焊的键合强度和剪切强度均满足GJB548A的要求，完全适用于航天、弹、箭、星、船和舰等各类型号的电源变换。     

薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。     

氮分压对CrNx薄膜相结构与力学性能的影响

ＣｒＮｘ 薄膜具有很高的硬度和耐磨性 ,其高温抗氧化性和耐腐蚀性优良 ,不但可作为耐磨涂层用于工模具和切削工具的表面强化 ,而且在表面防腐和装饰等许多工业领域也有重要用途[1] 。同已经得到广泛工业应用的ＴｉＮ薄膜相比 ,ＣｒＮｘ 薄膜的硬度更高 ,而且具有比ＴｉＮ更好的耐腐蚀性能[2 ] 。ＣｒＮｘ 薄膜溅射产额比较高 ,有利于大批量的工业生产 ,更具有实用价值[3 ] 。ＣｒＮｘ 薄膜采用ＳＰＣ 35 0多功能磁控溅射仪制备。在射频阴极 (ｒ .ｆ.)上安装纯Ｃｒ靶 (99 99% )作为溅射材料 ,高速钢基片经 1μｍ金刚石研磨膏抛光后 ,用丙酮…     

智能网的体系结构研究

本文介绍在体系结构和功能上截然不同的两大类智能网－－基于电信网的智能网和基于计算机网的智能网。论述它们的体系结构和功能及其开发研究。     

用显微拉曼扫描成象(mapping)法测集成电路中CoSi_2电极引起的应力

用显微拉曼扫描成象（ｍａｐｐｉｎｇ）法测集成电路中ＣｏＳｉ２电极引起的应力李碧波黄福敏张树霖（北京大学物理系北京１００８７１高玉芝张利春（北京大学微电子所北京１００８７１）ＳｔｒｅｓＩｎｄｕｃｅｄｂｙＣｏＳｉ２ＧｒｏｗｎｏｎＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｉｎ...     

正互反阵的一个特征值问题

本文讨论层次分析方法提出的一个矩阵特征值问题:对于给定的正互反矩阵,如何修改它的一对元素使得主特征值能够减小?我们对此给出了解答。对于反复多次修改,我们构造了一个迭代程序并且证明了一定意义下的收敛性。将本文的结果应用于层次分析法,可以减少决策分析过程的盲目性。