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在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层.本文研究了引Si+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系.结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响.材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ca]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高.实验还证明,29Si+注入时BF+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降.本文指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃5秒退火为佳. 相似文献
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