全正色散高阶谐波锁模掺Yb光纤激光器

在全正色散(ANDi)系统中,报道了最高为21阶的被动谐波锁模(HML)掺Yb光纤激光器。利用级联长周期光纤光栅(C-LPFG)作为全光纤结构的光谱滤波器,以非线性偏振演化(NPE)效应作为锁模机理,得到了重复频率可调谐的被动谐波锁模掺Yb激光输出,实现输出脉冲重复频率1.544~32.42MHz的可调谐。并进一步论证了谐波阶次的提高不仅与抽运功率有关,而且与光纤的长度有关。     

一种无线测距器的设计与实现

本设计的无线超声波测距器,包括发射模块和接收模块。发射模块以STC89C52单片机为核心,控制超声波传感器发射和接收高频超声波,并根据持续时间计算距离;再通过传感器DS18B20获取环境温度来修正距离值,以提高精度;最后单片机通过NRF24L01发送该数据。接收模块以S3C2440A ARM处理器为核心,通过NRF24L01接收数据,处理并显示测量结果且具备数值存储与实时报警的功能。     

浅析大学生实习面临的问题和对策

大学生校外实习是培养高素质技能型人才的重要教学环节。对于实习中出现的一些问题,政府、企业、学校、学生自身都要齐心协力,解决好实习中面临的各种问题,有效地保证实习的教学质量。     

InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化

采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟,并利用制备的Au/P-In_(0.52)Al_(0.48)As传输线结构芯片对P电极的欧姆接触进行优化.研究结果表明,P电极与扩散区外的N~--In_(0.52)Al_(0.48)As帽层形成导电通道导致了盲元的产生,优化后Au与P-In_(0.52)Al_(0.48)As帽层之间具有更低的比接触电阻为3.52×10~(-4)Ω·cm~(-2),同时Au在高温快速热退火过程中的流动被抑制,从而降低了盲元产生的概率.     

1nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响

采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光谱得出:在器件活性区域和p型AlGaN盖层之间插入1 nm i-AlN电子阻挡层的样品其位于320 nm处的寄生发光峰能被有效抑制,该杂质峰主要是由于电子溢出至p型盖层,与处于Mg相关的受主深能级上的空穴复合所致。此外,验证了该电子阻挡层对发光特性具有一定的改善效果。通过优化UV-LED结构以及合理设定外延层的厚度参数,可以使其出光功率提高一个量级。     

Effect of surface plasmon coupling with radiating dipole on the polarization characteristics of AlGaN-based light-emitting diodes

The optical polarization characteristics of surface plasmon (SP) coupled AlGaN-based light emitting diodes (LEDs) are investigated theoretically by analyzing the radiation recombination process and scattering process respectively. For the Al_0.5Ga_0.5N/Al/Al₂O₃ slab structure, the relative intensity of TE-polarized and TM-polarized spontaneous emission (SE) rate into the SP mode obviously depends on the thickness of the Al layer. The calculation results show that TM dominated emission will be transformed into TE dominated emission with the decrease of the Al thickness, while the emission intensities of both TE/TM polarizations will decrease significantly. In addition, compared with TM polarized emission, TE polarized emission is easier to be extracted by SP coupling. For the Al_0.5Ga_0.5N/Al nano-particle structure, the ratio of transmittance for TE/TM polarized emission can reach ～3.06, while for the Al free structure, it is only 1.2. Thus, the degree of polarization of SP coupled LED can be improved by the reasonable structural design.     

一次性可编程存储器的数据保持特性建模及分析

基于300 mm 0.18 μm MS 5 V工艺平台设计并流片了1k×16一次性可编程OTP器件,并对存储单元的结构、工作原理及工艺等可能影响数据保持寿命的因素进行了分析。根据Arrhenius寿命模型对不同样品设置了高温老化实验测试,收集数据并对OTP器件的保持特性进行建模。通过225 ℃、250 ℃和275 ℃条件下的高温老化加速实验,拟合样品最大数据保持时间曲线。在生产过程中可能出现的最差产品条件下,对1/(kT)与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算在不同失效条件下的浮栅电荷泄漏的激活能和最大数据保持时间。     

基于DBR结构的蓝光及白光GaN LED的制备及光学性能改善

为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能,设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO₂/Ti₃O₅分布式布拉格反射镜(DBR)结构的蓝光和白光GaN LED。制备了具有不同周期数的DBR结构,其中,17周期DBR结构在400～660 nm波长内平均反射率超过99.3%,其反射带宽度达到231 nm。测试并比较了封装后的基于DBR结构的LED芯片的电学与光学特性。通过电流-光输出功率(I-L)特性测试,发现具有17周期DBR结构的蓝光LED的光输出功率比5周期的提升了6.7%,而白光LED的光输出功率则提升了9.7%。在约100 mA的直流注入电流下,蓝光和白光LED的最大光输出功率分别达到134.9 mW和108.4 mW。