反辐射导弹发射告警技术

截机发射导弹时，在雷达回波波形上有明显的特征，利用这一特征，借助于计算要软件判别，可实现反辐射导弹发射时的告警。本文就是介绍这一告警技术及其实现方法。     

概率论在就业决策中的一个应用

随着科学技术的飞速发展，生产力水平正在不断提高，各行各业的就业岗位已经远远不能满足即将从业者的需求，就业“供”与“需”之间的予盾越来越突出．对于一名即将从业的人（尤其是即将毕业的大学生）来说，面对强手如林的竞争局面，除了刻苦学习必备的基础知识，努力训练从业的基本技能以外，在竞争工作岗位时，如何进行就业的决策，也是一个不容忽视的问题．本文通过几种具体情况，对这个问题进行一点探讨．     

介孔网络电路

用二次阳极氧化法制备纳米多孔氧化铝板,然后用磁控溅射方式在纳米多孔氧化铝板表面镀金得到介孔网络电路,对该介孔网络电路进行输运测量,发现其具有非线性电阻.     

能进行单分子层生长的相位控制外延

自从分子束外延问世以来,电子衍射仪就是该技术的一种必不可少的仪器,用它来观测生长过程中的结晶情况及表面结构变化。随着MBE技术的发展及研究工作的深入,电子衍射仪的用途也在不断扩展:如观测衍射象的变化探讨晶体的生长机理;利用衍射象随温度的变化来辅助测量衬底温度;通过观测衍射象的振动来控制生长厚度达到分子层的精度等等。本文介绍的“相位控制外延技术”被认为是这些扩展的应用中最有吸引力的。特译出此文,以飨读者。     

Electro-Magnetic Control of Vortex Shedding Behind a Circular Cylinder

Both open- and closed-loop control algorithms have been developed for suppressing of vortex shedding behind a circular cylinder in an electrically low-conducting fluid. For the open-loop control, the localized Lorentz forces are generated parallel to the cylinder surface, which have the accelerated effect to the fluid. Furthermore, two closed-loop control methods have been derived from the equations of motion capable of determining at all times the intensity of the Lorentz force to control the vortex shedding of a cylinder.     

芯片规模封装(CSP)的开发动向

芯片规模封装（CSP：ChipSizePackage）尚处于开发阶段，但其发展势头良好。因此，今后的发展方向是获得公认的市场，或者是与裸芯片KGD（KnownGoodDie）技术的发展而相联系的。但是，随着日益发展的IC芯片的高集成化及性能高级化，由于采用CSP容易测定及老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便，可以认为在今后长期间内，CSP会替代常规的封装。另外，也有可能作为COB及混合IC、MCM的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行CSP的改进及降低成本。     

芯片规模封装的开发动向

芯片规划规模封装尚处于开发阶段，但其发展势头良好。因此，今后的发展方向是获得公认的市场，或者是与裸芯片技术的发展而相联系的。但是，随着日益发展的ＩＣ芯片的高集成化及性能高级化，由于采用ＣＳＰ容易测定及老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便，可以认为在今后长期间内，ＣＳＰ会替代常规的封装。另外，也有可能作为ＣＯＢ及混合ＩＣ、ＭＣＭ的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行ＳＰ的改进及     

在配位体络合体系中合成窄分布聚苯乙烯

本文报道了在RLi-配位体络合体系中阴离子聚合方法合成窄分布聚苯乙烯的研究结果.在己烷、庚烷、甲苯等溶液中合成分子量范围为10~2～10~3。的窄分布聚苯乙烯(MWD<1.10)时,以鹰爪豆矸、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺为配位体的络合体系,聚合操作简便,效果非常好.在非极性溶剂中加一定比例的THF以后,该体系也能合成分子量范围为10~4～10~5的窄分布聚苯乙烯.     

甲基硅羟基封端硅树脂的合成及固化性能

将甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷分别与二苯基二羟基硅烷反应得到1,1,5,5-四氯-1,5-二甲基-3,3-二苯基三硅氧烷(A)和1,1,5,5-四甲基-1,5-二氯-3,3-二苯基三硅氧烷(B)。按一定比例将(A)和(B)水解缩合得到完全是甲基硅羟基封端树脂(Ⅰ)。将甲基三氯硅烷和甲基三乙酰氯基硅烷分别处理一般共水解法硅封端树脂可得到另外两种甲基硅羟基封端树脂(Ⅱ)和(Ⅲ),将树脂Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ与一般共水解法得到的具有相同R/Si和Ph/R(R代表甲基和苯基)的树脂(Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ)进行固化试验,结果表明,甲基-硅羟基封端树脂(Ⅰ—Ⅲ)的固化速度为共水解法制得的以苯基硅羟基封端树脂(Ⅳ—Ⅵ)固化速度的两倍以上。