半导体激光起爆试验研究

采用BNCP掺杂炭黑作为激光起爆器的点火药剂,研制了具有点火时间检测功能的激光起爆试验装置,工作波长980nm,光功率0-2W可调,脉冲宽度1-200ms可调。利用该装置开展了系列激光点火试验,结果表明：该起爆药剂的发火阈值功率为240mW,最小全发火功率为400mW,最大不发火功率为80mW;点火功率大于最小全发火功率时的典型点火时间为600μs。     

大功率垂直腔面发射激光器的相干性测量与分析

通过有机化学气象沉积(MOCVD)技术在n型GaAs衬底上生长制作了发射波长为850nm的VCSELs4×4列阵器件,介绍了VCSELs的制作工艺流程.对器件进行了相干性测量,计算了干涉条纹可见度,分析了影响干涉条纹可见度的因素.     

Tapered Bragg reflection waveguide edge emitting lasers with near circular twin-beam emission

An edge emitting laser with two symmetrical near-circular spots located far field （FF） is demonstrated using tapered double-sided Bragg reflection waveguides （BRWs）. The BRWs consist of six pairs of top p-type and bottom n-type A10.Ga0.9 As/A10.3 Ga0.7As Bragg reflectors with a period thickness of 850 nm. The device has a 4° tapered angle configuration and exhibits two stable circular beams with a separation angle of 52°. Typical FF angles of 5.87° and 7.8° in the lateral and vertical directions, respectively, are achieved. The lateral FF angle in the ridged section is independent of the injection current （〉0.8 A） beeause of narrow ridge （-10 μm） confinement. By contrast, the FF angle in the tapered section shows an increase rate of 1.2 1.66°/A. The periodic modulation of the lasing wavelength is observed to be sensitive to self-heating effects.     

阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究

采用电导数方法提取了半导体激光器阵列的结特征参量m,并对阵列结特征参量m与器件可靠性的关系进行了理论与实验研究,结果表明:m值可以作为阵列可靠性检测的一个重要判据,同一批次的阵列器件中,m值大的器件属于低可靠性器件;阵列m值大则说明单元m值大,或阵列存在严重电流泄漏通道,或阵列单元一致性差等。     

便携式双波长激光治疗仪控制系统的设计

根据双波长激光治疗仪的功能需求和便于携带的特点,完成了双波长激光治疗仪控制系统的设计,包括硬件设计和软件设计。硬件部分主要完成了电源模块、主控制器模块、激光器驱动模块和TEC温控模块等设计,软件部分主要完成APP人机交互模块的设计和控制程序的编写。采用基于ARM Cortex-M3内核的STM32F103RCT6芯片作为主控芯片,以锂电池组作为供电系统的核心模块,采用恒流方式驱动激光器,并以智能手机作为人机交互的载体,通过开发应用程序APP完成治疗仪的参数设置。对相关模块进行了测试,结果表明,激光器驱动模块的输出电流稳定度在1%以下,实际输出脉宽与目标脉宽的最大偏差率在1%以下,实际输出功率与目标功率的最大偏差率在5%以下。     

高功率半导体激光器的m值与器件质量的相关性

用电导数技术测量了高功率半导体激光器及阵列激光器的m值,讨论了影响m值大小的因素及与器件质量的相关性.结果表明,m值是器件质量和可靠性的重要标志之一,对于同种器件,质量好的器件的m值一定在某范围之内.对取值范围进行了讨论.     

Dependence of Junction Voltage Saturation on Uniformity and Quality of Laser Diode Bars

The dependence of the sinkage at the threshold of the electric derivative curve （IdV/dI-I） on the uniformity and the quality of the laser diode bar is analyzed. By using the equations derived from the equivalent circuits of the bars, the influence of the bar uniformity on the depth of the dip is investigated in theory under certain conditions. Furthermore, the experimental results based on the presented technique indicate that the depth of the dip is interrelated to the uniformity and the quality of the corresponding bar. The present technique can be used conveniently and effectively to measure the laser diode bars in practice.     

多层栅介质层有机薄膜晶体管的存储与光响应特性

在真空室内一次性制备了具有多层栅介质层结构的有机薄膜晶体管(OTFTs).结果表明,制备的OTFTs具有电控开关、存储和光敏多重功能特性.分析认为,存储特性归功于器件的结构,采用了分离的CaF2纳米粒子岛作为电荷俘获中心.在光照环境下,观察到了两种不同类型的光响应特性.快速的光响应来自于有源层吸收了能量大于带隙的光子所...     

激光热疗光源控制系统的研制

研制了多波长的激光消融控制系统,该系统可单独或组合输出多种波长激光,在MRI实时影像引导下,将激光经磁兼容光路导入病灶,实现肿瘤消融。本文设计的系统可控制激光功率、脉宽、时间、温度等多种参数,并通过动物实验提出一种行之有效的治疗方案及参数,在激光消融肿瘤及相关领域具备进一步丰富现有医疗方案的潜力。