基于变化电子流向的一种高压VDMOS静态物理模型

研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布变化的解析表达式而建立的,所以与Yeong-seuk Kim等人模型和参考文献[2]的模型相比,在较大的工作电压范围内,其计算精度的提高都是非常显著的。     

一种用于单相Boost型PFC中的数字预测算法

本文提出了用于数字控制PFC中的一种新颖的数字控制算法,称为预测算法。它可以得到较高的PF值,并且随着输入电压或者负载电流的变化有近似最快的动态响应。对于一个确定的系统,预测算法根据系统当前的状态参数,可以估算出输出电压和电感电流在下一个开关周期的变化趋势,并且得到一组完美跟踪输入电压轨迹最优的控制序列。在多种仿真条件下的仿真结果证实了预测算法的有效性。当输入电压从90V到265V,负载电流从20%~100%范围变化时,PF值都大于0.998。启动时间和恢复时间分别约为0.1s和0.02s,且无超调。实验结果也验证了设计的有效性。     

高线性度上变频混频器设计

首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点,随后采用Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于Chartered 0.25／μmCMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能;转换增益为3dB,在50～860MHz的频率范围内增益变化小于0．5dB,IIP3为10dBm,在3．3V单电源下消耗20mA的电流。对实际样片的测试表明电路的混频功能良好。     

一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器

采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8～48dB的增益连续变化,差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc,最大增益处噪声系数为8.7dB,50Ω负载下三阶输出截点为14.2dBm.     

射频电路的单片集成¹

射频电路是无线通讯中的一个关键部分,其性能的好坏将直接影响到整个系统的性能,本文介绍了用CMOS工艺实现射频电路单片集成的可能性,难点,目前的情况和前景以及最终实现射频IP（Intellectual Property)的意义。并提出了一条适合国内发展射频电路集成的途径。     

SoC中低峰值功耗的BIST调度算法

本文提出了一种系统芯片(SoC)中用于降低内建自测试(Built-in Self-test，BIST)峰值功耗的调度算法。首先本文提出了基于扫描BIST的精简功耗模型，在此模型的基础上，提出了通过调整扫描周期和扫描起动时间的办法来避免过高的SoC测试峰值功耗。实验结果表明，该算法可以有效地避免BIST并行执行可能带来的过高峰值功耗。     

几种实时嵌入式系统DVS策略的分类比较

动态电压调节是一种有效的运用于实时嵌入式系统中的低功耗技术。实时嵌入式系统DVS技术不仅要实现系统功耗的降低,同时也要兼顾系统的实时性,满足任务的截止时间限。该文针对近几年实时嵌入式系统中DVS策略,首先介绍实时系统中DVS策略模型,对主流策略进行分类比较,并且对相应策略进行仿真,DVS策略可以取得10%～40%的能耗节省。     

一种新型偏置栅MOS 管漂移区表面电压 和电场的分析模型

本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型，借助数学推导得到该模型的计算方程，通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系，同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法。     

RF 集成电路工艺探讨¹

射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间，本文介绍了当今RF的主流工艺，并分别对基于硅的深亚微米CMOS工艺在RF设计中的可行性和困难进行了研究，评述了其中存在的问题，最后提出了该领域中未来的发展前景。     

A sub-circuit MOSFET model with a wide temperature range including cryogenic temperature

A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used in a wide temperature range covering both cryogenic temperature and regular temperatures.