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1
1.
氧化镓生长模拟中的流场与反应参数优化研究
戴必胜
陈琳
陶志阔
修向前
《半导体光电》
2020,41(4):527-530, 547
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga
2
O
3
材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型,对Ga
2
O
3
材料的生长进行了数值模拟。依次优化了GaCl进气速度、O
2
进气速度、喷口到衬底间的距离等关键参数,在较高生长速率下使衬底上的Ga
2
O
3
膜厚相对均匀度达到7.02%。此外,对仿真中不同的反应活化能设置进行了对比实验,发现活化能参数虽然对平均生长速率有明显影响,但是对样品的生长速率分布及均匀性影响不大。
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